MOS 电容用法讨论

大大山 · 发表于 2012-8-12 17:22:28

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当MOS用作电容时，工作在积累区，会引入额外的什么缺点呢。。
欢迎大家讨论。。。

semico_ljj · 发表于 2012-8-12 19:47:42

MOS CAP是可以用在积累区的

圣智归来 · 发表于 2012-8-12 19:57:49

mos cap 积累区什么意思啊？还有mos cap 的使用有什么技巧吗？它跟金属电容的使用差别是什么？求教啊！

大大山 · 发表于 2012-8-12 21:51:23

本帖最后由大大山于 2012-8-12 23:19 编辑

回复 2# semico_ljj

是可以用在积累区，我们已经tape-out验证。。
只是想知道，在积累区与强反型区，有什么不一样的寄生参数(比如寄生电阻值的差别)。。。

iamshan · 发表于 2012-8-13 01:36:10

本帖最后由 iamshan 于 2012-8-13 01:37 编辑

回复 4# 大大山
MOS电容一般得工作在积累区才行，这样稳定。
如果工作在耗尽区或者弱反型区，电容值难以控制，会比积累区小很多。
如果工作在强反型区，电容值在高频或者低频条件下是不一样的，低频情况下跟积累区差不多，略小。高频情况下会小很多。我做工艺的，不知道设计上会不会有高低频的情况。
另外，工作在强反型区，电容可能会比积累区小一些，小多少应该取决于所加电压。这是由于poly depletion的影响，相当于又串联一电容。

FYI.

semico_ljj · 发表于 2012-8-13 09:47:07

高频使用一般在积累区。普通滤波可以使用在反型区

大大山 · 发表于 2012-8-13 11:40:14

回复 5# iamshan

   谢谢你详细的回复.
   从你的回复中,我了解到了: 两种差别主要是高低频的应用差别,和压差与电容大小的函数关系..

   另外想请教, pmos的NWELL电阻一般在什么数量级上(nwell上画了很多contact,是不是电阻会在几十欧姆的量级),会比沟道电阻小很多吗??
   多谢!!

大大山 · 发表于 2012-8-13 11:41:16

回复 6# semico_ljj

多谢!!!!!

iamshan · 发表于 2012-8-13 14:49:02

回复 7# 大大山

你说的是N+电阻吧? unsilicide n+ 一般几十 ohm/sq;
silicided n+ 一般6,7 ohm/sq.
这些东西工厂提供的PDK文件里一定都有的,你可以去查查看你用的工艺具体是多少.

大大山 · 发表于 2012-8-14 20:24:42

回复 9# iamshan

查到了，1000欧母左右。。

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