【求论文】一篇IEEE上的关于impact ionization的文章，需要其中的数据

analogmind

数据啊，数据....... 请各路神仙帮忙！

"Measurement and modeling of the electron impact-ionization coefficient in silicon up to very high temperatures"
http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?tp=&arnumber=1510921&contentType=Journals+%26+Magazines&queryText%3Dimpact+ionization+silicon

analogmind

自己顶一下。

analogmind

自己顶一下。直到找到为止。。。

beatlin

01510921.pdf (941.98 KB, 下载次数: 8 )

2012-7-19 22:55 上传

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来给你找到啦

analogmind

来给你找到啦
beatlin 发表于 2012-7-19 22:55

                               
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    多谢啦！

analogmind

来给你找到啦
beatlin 发表于 2012-7-19 22:55

                               
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还有一篇文章很重要，能够知道什么会影响ESD transistor turn on speed的。 兄弟，能否再帮个忙？多谢了！


    "Optimum base-doping profile for minimum base transit time considering velocity saturation at base-collector junction and dependence of mobility and bandgap narrowing on doping concentration "
http://ieeexplore.ieee.org/xpl/login.jsp?tp=&arnumber=944202&url=http%3A%2F%2Fieeexplore.ieee.org%2Fiel5%2F16%2F20433%2F00944202.pdf%3Farnumber%3D944202

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beatlin 发表于 2012-7-19 22:55

                               
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    还有一篇文章很重要，能够知道什么会影响ESD transistor turn on speed的。 兄弟，能否再帮个忙？多谢了！


    "Optimum base-doping profile for minimum base transit time considering velocity saturation at base-collector junction and dependence of mobility and bandgap narrowing on doping concentration "
http://ieeexplore.ieee.org/xpl/login.jsp?tp=&arnumber=944202&url=http%3A%2F%2Fieeexplore.ieee.org%2Fiel5%2F16%2F20433%2F00944202.pdf%3Farnumber%3D944202

beatlin

00944202.pdf (124.33 KB, 下载次数: 3 )

2012-7-20 22:19 上传

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来啦

analogmind

来啦
beatlin 发表于 2012-7-20 22:19

                               
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    真的非常感谢！

analogmind

来啦
beatlin 发表于 2012-7-20 22:19

                               
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    兄弟，多谢你之前帮我下载论文啊。不好意思，又硬着头皮来了。还有两篇关于diode capacitance的论文。 在快速的ESD pulse 下，这些capacitance会延迟diode导通。所以想仔细看看这些capacitance的原因。多谢了！！

"Transition region capacitance of diffused p-n junctions "
http://ieeexplore.ieee.org/xpl/login.jsp?tp=&arnumber=1476494&url=http%3A%2F%2Fieeexplore.ieee.org%2Fiel5%2F16%2F31683%2F01476494.pdf%3Farnumber%3D1476494


"Capacitance of semiconductor p-n junction space-charge layers: an overview "
http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?tp=&arnumber=90112&contentType=Journals+%26+Magazines&refinements%3D4291944246%26queryText%3Dp-n+junction+capacitance