有关单级放大器

marjorie · 发表于 2012-5-30 16:11:02

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如题，一般单级放大器能达到多大的增益？简单的说就是拿一个NMOS，给偏置在饱和区，有源负载输出，Gain可以到多少dB?
指标受process的影响有多大呢？不是考虑电阻的50%左右的失配，光是不同代工厂的参数。有经验的ICers给点指导吧。谢谢

huma1986 · 发表于 2012-6-1 13:32:37

这个跟工艺太相关了吧。

marjorie · 发表于 2012-6-1 16:40:09

这个跟工艺太相关了吧。
huma1986 发表于 2012-6-1 13:32

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具体点呢，如果这样的话，比如说同样的设计，工艺A下比工艺B下的增益高，那么B会不会在其他方面有突出表现呢？

mercybucher · 发表于 2012-6-1 16:49:19

你要用这个信息来干嘛？这个增益是个变换范围很大的值，跟工艺、温度、电流、电路尺寸都相关的参数

hsphy · 发表于 2012-6-1 16:50:11

你问题的最基础点没搞清楚，90nm的管子和.5um的管子，intrinsic gain能一样吗？

weidianwj · 发表于 2012-6-1 16:58:54

sansen那本书上有过分析，以mos工艺为例（bipolar很大一些），单级放大器的增益主要由L，Vgs-Vth，还有VE决定，L越大增益也会越大，由此带来的问题就是速度和噪声，所以不能无限大，Vgs越小增益越大，但不可能无限的小下去，一般我们就采用0.2v左右吧，所以没有最大增益，只有最合适的增益。我们忽略增益提高，就拿最简答的单级放大器说，你算算，如果你想要一个Av有100的单级放大器Ve*L大约要10v，要看你的工艺怎么样了，所以楼上说跟工艺有很大关系，我估计90nm的话增益会很悲观的，只能借助增益提高技术了（共源共栅之类的）。

marjorie · 发表于 2012-6-1 16:59:11

哦，我可能没说清楚，我的意思主要是指代工厂，这里用A或者B表示，主要是不想弄成针对某一个fab。
同样是.13或者.18,不同的工厂PDK的参数会不会大到使相同的设计,比如说一个运放的增益差10dB以上,这个是我的疑问,如果有,那么这个差值是正常的吗? 而且我也好奇,难道只能用价格来弥补,让自己存活吗? 没有自己独到之处吗

marjorie · 发表于 2012-6-1 17:06:39

回复 6# weidianwj

嗯,比较郁闷,前段时间换了个fab,结果拿人家的PDK做个基本的模块,指标总上不去,恼火的很,都没有让我tradeoff的空间啊,用原来的工艺,轻松就能达到,这个事情让我对不同的fab产生的影响深有体会啊,所以就想看看各位同行是否也遇到过这种情况,或者是自己哪里有疏漏

weidianwj · 发表于 2012-6-1 18:26:15

回复 8# marjorie

恩，选工艺也是个学问，工艺选不好对设计影响挺大的。

marjorie · 发表于 2012-6-1 22:01:56

回复 9# weidianwj

是啊,我菜鸟一个,请多指教, 还有,我发现现在为了追求增益,过驱动电压在尺寸减小的情况下,已经偏置在低于0.2这个经典值之下了,为了追求更大的gm吧,还有现在有些人倾向于将输入对偏置在region 3,这样做现在是工业界的主流趋势吗

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