LDO设计的几个问题

WEN_AMY · 发表于 2012-4-28 09:52:43

回复 2# liuqingfeng2011

是的，我目前只是采用了最最最简单的经典结构，零极点的分析也是参考Ricon-Mora的那片博士论文学习的。因为记了笔记，看别的文章里说过，旁路电容Cb有个作用是减小瞬态特性里的那个delta Vesr的影响。不是非常地清楚，旁路电容基本就是滤波的作用，既然有输出电容了，再加旁路电容看着好像是有些多此一举

lindychen · 发表于 2012-4-28 09:53:04

回复 10# WEN_AMY

150uA到1mA的跨度并不大，dropout其实并不会有什么变化的；变化的大，那也就是调整管没有设计好。负载小，假如用很大的调整管，那就浪费面积了。

crown911 · 发表于 2012-4-28 10:20:58

学习了~

sxb841018 · 发表于 2012-4-28 14:57:57

如果你采用的是一级的运放结构，只要在取样电路中加入补偿电路即可实现稳定
如果采用两级运放，对于你的负载波动范围小，也可以通过在取样电路中选取合适的补偿就可实现稳定。
如果问题没解决，你可以把图上传到网上让大家帮忙分析分析

yzhfy · 发表于 2012-4-28 15:08:14

上图吧，这样清楚一点

microstudent · 发表于 2012-4-28 15:13:20

我觉得你这个完全可以做个一级放大器+buffer驱动输出mos管，之后加些片上的电容做负载，就应该能满足一般的瞬态响应了。补偿用输出极点作为主极点，之后把放大器和buffer之间的极点，buffer和输出管的极点都移到带宽之外。如果有困难，可以在第一个反馈电阻上并一个电容，做个零极点补偿。
毕竟你的这个电流范围很小，不会太复杂的，另外160uA的静态电流太大了，完全可以做到更低。

liuqingfeng2011 · 发表于 2012-4-28 18:02:02

既然你手上有好多paper,看下有没有这篇：A Capacitor_less Low Drop-out Voltage Regulator with fast Transient Response(2005Master Thesis, by Rebert Jon Milliken_Texas A&M University)和这篇Full On-Chip CMOS Low-Dropout Voltage Regulator(2007IEEE, by Robert J. Milliken等)。其实这两篇讲的是同一个电路，可以参考下，负载电流在0~1mA，这个电路是可以稳定的。

经典LDO在这个负载电流区间的稳定性似乎有点困难，原因是传输管的gm小。愚见！

wyb041011 · 发表于 2012-5-3 21:34:35

回复 1# WEN_AMY

好

beyond某人 · 发表于 2014-10-27 17:48:26

回复 4# liuqingfeng2011

求资料万谢 zhengjinlong1988@126.com

asu2011 · 发表于 2014-12-10 17:16:54

学习了

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