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[求助] 求教, 如果要写一份有关LDO的毕业论文, 有什么题目可考虑??

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发表于 2012-3-27 23:46:52 | 显示全部楼层 |阅读模式

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小弟希望写一份"有建设性" 的论文, 不求高分


请高手指教
发表于 2012-3-28 01:01:16 | 显示全部楼层
低压、低功耗。例如应用于1V以下的。
发表于 2012-3-28 09:41:31 | 显示全部楼层
加一条:当vin>2V vout=1.8V, 当vin<2.0V, vout与vin短路 且vout不能小于1.65V。
发表于 2012-3-28 09:43:09 | 显示全部楼层
偏理论一点的话,可以研究一下多级放大结构下的频率补偿,高增益、高带宽。
偏工程一点的话,可以研究一下Die Size和输出电流能力之间的关系。
发表于 2012-3-29 14:51:25 | 显示全部楼层
全片上的高psrr(高频处) LDO
 楼主| 发表于 2012-3-29 18:49:35 | 显示全部楼层
回复 2# Johnson2011

为什么1V以下呢?是因为大部份的portable devices
用1V以下吗?
 楼主| 发表于 2012-3-29 18:56:18 | 显示全部楼层
回复 3# TianBian365


这个题目,我不太明白哦....
 楼主| 发表于 2012-3-29 19:28:48 | 显示全部楼层
回复 4# wind2000sp3

是否在一般情况下,多级放大结构下的频率补偿会比ESR和dominant pole的好?


Die Size vs 输出电流能力太困难了,没有足够资源给我做呢.....
发表于 2012-3-30 11:00:11 | 显示全部楼层
频率补偿会更难,但是性能会更好。2楼说的也没错,1V的LDO也是一个发展方向。
发表于 2012-3-31 17:17:18 | 显示全部楼层
低压降,高抑制比,低噪声LDO
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