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楼主: flyingguo

[原创] pad的ESD问题?

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发表于 2012-3-21 15:17:32 | 显示全部楼层
回复 19# dqyang


    这哥们说的是对的!对电源的Diode其实起到clamp作用,同时对电源释放正ESD电荷的通路。如果对地放电,不可能用正偏的Diode结构。
发表于 2012-3-21 16:02:34 | 显示全部楼层
回复 20# xiaowanzi88

你没看明白我说的。一般在io处pad的diode是io对vdd正向,gnd对io正向,然后在vdd和gnd之间有clamp电路,这样无论怎样打esd,都用的是diode正向导通。在正常进信号时,只要不超过vdd 0.6v或者不低于gnd 0.6v,diode都不会开启。
发表于 2012-3-21 16:30:59 | 显示全部楼层
回复 19# dqyang


    io对gnd的ESD放电路径,似乎没有什么书籍或者资料明确的说明,这也和工艺情况密切相关。实际上是有两条路径在竞争,一个是diode反向击穿,一个是io对vdd,然后vdd通过clamp对gnd,最后就看谁更容易。按我个人理解和听讲座,讨论,看文档,觉得至少在小尺寸(。13以后)工艺下,使用t或者s的工艺,应该是后者更容易些,这可能与为了保护内部脆弱的管子,clamp的设计越来越复杂有关。
发表于 2012-3-21 20:05:44 | 显示全部楼层
回复 23# gaojun927
曾经问过同事,说是vdd到gnd的esd通路是最容易通的,esd电压在达到击穿管子直接流入地前会走vdd到gnd的通路,不知是否是这样的?
发表于 2012-3-22 09:13:28 | 显示全部楼层
回复 24# dqyang
这也是我的理解。不过不同人的理解都有不同,我认为也和工艺,整体ESD架构有关,所以书上不会明确写出,我也不敢说死。
发表于 2012-3-24 21:37:35 | 显示全部楼层
二极管的多吧
发表于 2012-3-31 16:41:18 | 显示全部楼层
mark一个
发表于 2012-3-31 20:42:11 | 显示全部楼层
不激烈。。
发表于 2013-12-4 19:23:27 | 显示全部楼层
pad 对VDD的diode正偏,对GND的反偏,VDD对GND的diode反偏
发表于 2016-5-21 23:26:44 | 显示全部楼层
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