pad的ESD问题？

wesley_wan · 发表于 2011-7-29 16:56:17

同样的ESD要求，比如说HBM >3KV，用二极管、GS连接的MOS管（D端一定要符合ESD RULE)或者场效应管都可以达到同样的目的，关键的是达到了同样的目的，如何选用取决于layout布局以及成本要求

z35840904 · 发表于 2011-8-4 09:46:30

赞同楼上的

skchen_001 · 发表于 2011-12-7 18:11:18

ESD保护的话，用二极管连接的MOS管就可以，GS接一起。另一端接电源

xiaowanzi88 · 发表于 2011-12-16 11:38:33

GGNMOS，Diode的ESD工作模式是完全不一样的！
ＧＧＮＭＯＳ是使用寄生ＮＰＮ的snapback特性释放ESD电流，floating Gate/Res gate都是保护gate oxide不被ESD应力击穿。但同时增加了寄生器件，对于RF PAD不适用。
Diode的ESD工作模式是反向击穿，速度快，但是面积大，释放电流能力较强。

楼主的反向设计，完全没理解到核心思想。建议多看看书。

loopgain · 发表于 2011-12-17 11:28:55

有的是直接做成bipolar
不过还是gate coupling MOS的ESD强

hiky · 发表于 2012-3-20 17:00:40

版主正解啊

wolffshen · 发表于 2012-3-20 17:19:29

还是版主的解释比较清楚

gaojun927 · 发表于 2012-3-21 13:37:43

回复 14# xiaowanzi88

diode 应该不是用它的反向击穿，至少在现在的工艺中很多情况下不是。应该是利用正向导通特性，把esd电流导入到电源和地，这样压降只有0.6。如果是利用反向击穿，电压要高很多。

dqyang · 发表于 2012-3-21 15:09:16

回复 18# gaojun927
那是I/Opad到电源PAD才是正向接，导入电源的电流最终还是通过反向击穿向地泄放的，对地PAD的diode
作ESD时就要反向了

xiaowanzi88 · 发表于 2012-3-21 15:15:29

回复 18# gaojun927
如果如你所说，那我就有疑问了！
你输入信号幅值多大？如果一旦超过Diode正向导通电压，常温下，通常为0.65V。意味着你的输入输出信号就被短路到地，信号无法传输！
而且会出现很大的leakage到GND。
我估计你看到的工艺是RF工艺，里面的那个diode反向击穿电压可以根据工艺调整的，而且寄生电容很小，满足RF阻抗匹配以及高频IO需要。

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