手算MOS管尺寸问题

jerry_zjnb

根据漏电流在决定MOS管尺寸时，一般用哪个近似公式？

我用的是饱和区电流公式，不考虑沟道调制效应，但是我发现，PMOS算出来的电流跟仿真出来的电流相差很大，而NMOS稍微好一点，仿真时管子同样是工作在饱和区。。

我想问下，如果手算的话u0*Cox的值是不是根据Model Parameter中的u0和tox算得的呢？

关于手算，不知有什么宝贵的经验没有？

谢谢！

hezudao

别干这种没意义的事了

天牛不唱歌

看仿真出来管子的直流参数，可以找到第一项beta，基本这个参数就是UnCoxW/L的值，你可以用这个近似计算吧。不过手算的和仿真本身就是利用的不同模型。所以偏差是难免的大概有0~20%左右。

xiaoli055

回复 3# 天牛不唱歌

有没有更好的办法？

天牛不唱歌

回复 4# xiaoli055


   有呀 gm/I 的那种方法，你可以找找教程或者论文。论坛里应该有。

putechen

手算还是有利于理解的。
仿真还不是算，只不过用的模型更精细，算得更快而已。

suncold

你可以看看BSIM3v3模型里面关于u的定义，分子上是u0，分母上一大堆，而且还不算ua、ub那几个修正项。
tox倒是一个固定值，算出来的Cox大致上是定的，但是u就不是了。
试过用u0*Cox的值，跟仿真出来的beta/(W/L)的差别还是有的；而且，你还可以试试固定L，对W扫描，然后print出beta/(W/L)的值，你会发现u*Cox也在变
所以这些都是个概略的值，手算的结果不过就是作为仿真优化的迭代初始值罢了

jerry_zjnb

回复 5# 天牛不唱歌


    能不能说得清楚点呢？

谢谢！

天牛不唱歌

回复 8# jerry_zjnb


   http://bbs.eetop.cn/viewthread.php?tid=260205&highlight=gm%2Fi  这个你看看。。。

xiaoli055

回复 5# 天牛不唱歌

谢谢，鲁文的jespers 写的gm/Id methodology 已经看过了，可是还是感觉不太直白。一般是双线-由gm/Id 和w/Id共同确定最终尺寸的，但后者没有一个直白的公式。帮帮忙，谢啦！