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发表于 2011-10-17 15:21:51 | 显示全部楼层 |阅读模式

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集成电路中的trimming是什么意思啊?
发表于 2011-10-18 20:47:13 | 显示全部楼层
调整的意思,有调整电容,电阻的阻值,也可以调整某些功能

比如TRIM1,TRIM2 ,TRIM3 ,一般是连接出来,外面可控制
发表于 2011-10-20 18:59:02 | 显示全部楼层
Trimming的概念

激光刻蚀这一术语用于描述使用激光来调整电路工作参数的一道工艺程序。

普遍的方法是利用激光烧掉电阻的一小部分,提高它们的电阻值。这一操作可以在使用自动测试设备对电路进行测试的时候进行,目的是将trimming电阻调整至一个合适的值(也称为测试调节)。

激光trimming是使用激光束来改变电容或电阻属性的一种受控变更方式。选择电路中的一个或几个元件,通过激光束来调整它们的属性参数。通过刻蚀来改变电容或电阻器件的属性,使其值逼近理想值。

薄膜电阻的阻值由几何尺寸(如长度,宽度,高度)和电阻材料的属性决定。利用激光对薄膜电阻进行侧面切除将会使电流通路变窄,从而使电阻值增大。采用这种方法对陶瓷衬底上的厚膜电阻和薄膜电阻或表面贴片电路上的贴片电阻进行更改也能得到同样的效果。相同工艺的表面贴片电阻通常情况下也还是使用激光进行微调的好。

可trim的片上电容多为多层平板电容。激光使电容极板的顶层蒸发,结果是顶层极板面积减少,从而降低了电容值。

无源trim将电阻值调整到一个既定值。如果trimming调整的是整个电路的输出(如输出电压,频率,开关阈值等等)这称为有源trim。在trim过程中,对相应的参数进行实时监测并于程序预定值进行比较,如果该参数达到预定值,则激光调整过程自动终止。

设计人员经常会用到电位计,终测过程中常常对它进行调整来实现需要的电路功能。然而很多应用中,产品的最终用户不可能使用电位计。因此厂家应通过测量和计算等手段来确定所需要的电阻和电容值,最后将合适的元件焊接到最终的PCB上去。

更为简单的方法是采用片上trim电阻或trim电容代替电位计或可调元件,用

数字逻辑电路也可以采用同样的方法。这种情况下,用激光烧断熔丝,使能或中断各种逻辑电路。IBM的Power-4处理器芯片就是这样一个例子。这枚芯片内部有五块高速缓存,但芯片正常工作仅需要四块存储器。在进行测试的时候,每一个缓存区域都做测试。如果其中有一块缓存区域不能工作,则将其可编程熔丝熔断,切断电路。如果要求每个芯片的所有缓存器(4个)都能正常使用,则采取芯片内部放置冗余模块的方法能够取得超过工艺允许的芯片良率。

别人翻译的。
发表于 2011-10-23 01:20:24 | 显示全部楼层
xiexie
发表于 2011-10-24 21:16:52 | 显示全部楼层
3#的已经很详细了,
补充下:在memory中会用trimming的方式来修复某些fail的bit,
发表于 2011-12-16 16:26:01 | 显示全部楼层
好详细!多谢LZ
发表于 2011-12-18 14:02:52 | 显示全部楼层
简而言之:修调
发表于 2015-12-10 21:27:58 | 显示全部楼层
回复 7# loopgain


    分

current trim ->  metal fuse ,  poly_fuse

laser trim => metal fuse

eFuse -/otp trim /FT_trim

no trim

some design skip "Trim"  no CP
发表于 2019-4-10 11:51:10 | 显示全部楼层


lhlemail 发表于 2011-10-20 18:59
**** 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽 ****


请教版主,您所说的烧熔丝的方式,用激光烧断熔丝,使能或中断各种逻辑电路,按照我的理解,如果使用寄存器或者flash存储器,写入与熔丝相同的控制码,是不是也可以得到相同的修调效果?
再麻烦版主解释一下,各种修调方式,FIB,efuse,寄存器,存储器修调各有什么优缺点,工艺支持flash存储器的条件下,flash存储器修调是不是可以完全替代熔丝修调方式呢?谢谢版主了!!!
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