csmc工艺库中MOS管的ro是那个参数啊？

liuyb2010 · 发表于 2011-11-1 20:35:16

好的，试一下。

colnie · 发表于 2011-11-1 22:58:44

帮顶。。。。。。。。

jerry_zjnb · 发表于 2011-11-26 18:34:16

谢谢楼上的各位，学习下

liuxufeishuang · 发表于 2011-11-30 00:12:54

ro=1/(λId)
λ≈ΔL/(L*Vds)
tsmc，hhnec和csmc的11级模型中，仿真情况差不多，不是很准，但是l=1u以上用上面的模型可以估算出来近似值，希望能够帮助到你

semico_ljj · 发表于 2011-11-30 14:46:56

回复 14# liuxufeishuang
不错、、、

aries2008 · 发表于 2011-11-30 16:51:45

gds的倒数就是ron，可以通过看MOS管的静态工作点得到。

roger_forever · 发表于 2012-2-26 19:35:06

貌似查看直流工作点中的gds的导数即是r0.。。也可以看出来的，但不知道调制系数怎么查看，而且理论上同时按比列增加栅长可栅宽，应该别的参数不会变，gds应该会回减小，r0会增大，但仿真看不出这个关系。。。

敏兹 · 发表于 2012-2-28 12:19:35

看gds

guojiarong2 · 发表于 2013-5-4 23:00:12

学习了

JoyShockley · 发表于 2013-5-5 08:30:11

废弃ro的概念，建立新的表征变量gm*ro，本征增益最终只是和L和vds/vstar有关。

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