流片出来的SDRAM各别位出错.但BIST能通过

creese · 发表于 2011-5-25 10:10:50

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

大家有没有遇到过片上sdram(用artison memory compiler生成)在写入后再读出,读出的数据在某一位出错的现象?有时可能是写读十几次出错一次,有时可能是几百次出错一次,具体哪次出错没有规律,但是是在固定的位上出错.
芯片在中测和成测的bist都通过了,用的是MARCH-C算法.但没有查出这种问题.

nishuidegou · 发表于 2011-5-29 22:10:25

顶一下

creese · 发表于 2011-5-30 16:44:06

看来nishuidegou也遇到过类似的问题吗?这个归根到底是由于生产工艺原因引起的,主要是要在中测是找到合适的方法筛选出来.难就难在这里.

david_sung · 发表于 2011-8-19 15:28:57

MARCH-C也不能完全覆盖所有的失效模型的，向您说的可能是soft failure，物理上比较难分析，建议测试时加入极限参数测试可靠性

creese · 发表于 2011-8-19 19:36:32

回复 4# david_sung

david_sung, 你的email是多少？和你邮件交流吧。

fu2006 · 发表于 2011-8-21 11:14:10

什么叫中测和成测呢？楼主你fail的类型应该是BIST部分pass；但是功能使用时fail吧？

david_sung · 发表于 2011-8-22 09:37:28

回复 5# creese
QQ：68858091

bingling512 · 发表于 2011-8-23 10:28:33

出错的场景能再具体一点吗。
比如读到数据出错后，后面再读是否一直出错？
频率？每一个cyle都读还是几个cycle读一次？
是连续读同一个地址，还是随机地址？还是连续地址？

另外可以看看，
提频之后出错概率是否会增加？
降压之后出错概率是否会增加？？
升压之后出错概率是否会增加？？

bingling512 · 发表于 2011-9-26 16:56:45

请问这个问题最后有结论了么？

creese · 发表于 2011-9-26 20:52:43

与foundry联系一下，它们承认是工艺上的原因，但是没法在CP时挑出来。

[求助] 流片出来的SDRAM各别位出错.但BIST能通过

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

相关帖子

站长推荐 /1