模拟IC应届生都这么牛，我想到了崩溃

mmkyy · 发表于 2011-7-2 23:40:23

现在模拟IC还是很缺人啊，但是大部分研究生出来都一般...大学荒废啦

inf · 发表于 2011-7-3 11:13:59

能做好任何一个方向并流片成功，我感觉都很不容易了，真有这样的人，只有膜拜

xjqxjq28007 · 发表于 2011-7-4 09:43:01

回复 55# wangkes

不用等那么久，虽然咱们起点水平低了点，但是努力吧，相信有志者事能成，相信自己吧，要不还杂活呢，

aaaabookic · 发表于 2011-7-6 05:29:41

研究生期间就能做那么多项目？

dyjguilin · 发表于 2011-7-6 17:50:16

不知道文章从哪里转的我们学校的这个人算例外了

corball · 发表于 2011-7-7 14:11:42

其余的俺不懂，不过说到BG，选什么样的温度系数的电阻其实意义不大，主要是离补偿的差距太远。比如以某BiCMOS工艺为例：NP多晶电阻的温度系数：~-1150ppm/C；PC多晶：~-185ppm/C；NPN基区电阻：~1350ppm/C；离子注入电阻温度系数：~-300ppm/C；多晶电阻：~-280ppm/C，即便是最好的情况下，选择电阻也仅仅改变带隙温度系数0.7mV，这种改善会被工艺波动，比如导致的失配吃得一干二净。

xjqxjq28007 · 发表于 2011-7-7 15:20:34

回复 61# corball
你说的很有道理，有一个问题我想请教一下，很多情况BG选取高阻POLY的原因是什么？因为节省面积，精度高点？其温度系数并不是考虑的重要因素？还是什么别的原因，谢谢。

xjqxjq28007 · 发表于 2011-7-7 15:22:30

回复 58# dyjguilin

你了解此人？能不能简单说说呢，谢谢，

dyjguilin · 发表于 2011-7-7 16:43:31

回复 dyjguilin

你了解此人？能不能简单说说呢，谢谢，
xjqxjq28007 发表于 2011-7-7 15:22

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1. 你转的这篇文章是他毕业的时候自己写的，情况属实
2. 你要我简单说说什么啊？

xjqxjq28007 · 发表于 2011-7-7 16:47:11

回复 64# dyjguilin

就是他在学校的实验室是国家重点实验室? 为什么学生会有机会参与这么多项目，并且有tapeout经验？据我所知，华科的IC设计好像不是非常强悍哦，

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