回复 11# huntzxs
这里有点疑问,首先,击穿,我个人觉得不是GATE的击穿,二是gate oxide的击穿。也许你的意思就是gate oxide 击穿。其次,gate 上出现
大的正电荷的时候,利用的是反向二极管的击穿,而不是二极管的反向漏电,其实也就是雪崩击穿。
针对这个问题,可以参考模拟版图艺术这本书“
对于厚氧工艺,往往选用NSD/P型外延层泄露器。这种结构本质上是一个阴极连接金属节点,阳极连接衬底的二极管。如果节点电位降到衬底电位以下,则泄露器正向导通,并箝住电压,如果节点电位上升超过衬底电位,则NSD/P型外延层会先于厚氧损坏前发生雪崩击穿。
”
一般情况下,工艺中的,二极管的击穿一般都低于gate oxide的击穿电压。以5V工艺为例,二极管击穿在6~7V,gate oxide的击穿在10V~13V |