关于MOS的栅长和阈值电压的关系

cc1405 · 发表于 2011-6-22 11:14:09

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

最近看一篇论文，上面提到mos阈值电压和栅长的关系是栅长越长阈值越高，有点搞不清楚原因
向高手请教下两者之间的关系是怎样的？或者有什么资料讲到这些了？或者能提供下资料~
谢谢

helianalog · 发表于 2011-6-22 16:14:45

在razavi中文版478页，VTH随L的减小而变小。
但是在EECS240的lecture中，VTH随L的减小而增大。

过路心客 · 发表于 2011-6-22 16:54:57

现在的MOS，VTH与L的关系不是单调的。

cc1405 · 发表于 2011-6-22 17:08:38

在razavi中文版478页，VTH随L的减小而变小。
但是在EECS240的lecture中，VTH随L的减小而增大。
helianalog 发表于 2011-6-22 16:14

登录/注册后可看大图

先谢谢了，我通过仿真得到的结果是vth随L的减小而增大，用的是smic0.18的工艺。今天看的论文中默认的是Vth随L的减小而变小，然后得到了一系列的结论。也没给参考依据。
现在到底是应该怎么理解这个东西呢？是正比趋势还是反比趋势呢？还是有条件限制的呢？

梧桐 · 发表于 2011-6-22 18:40:49

影响阈值电压变化的因素很多不能单看栅长要全面考虑。。。

hsh22 · 发表于 2011-6-22 18:46:47

可以看阈电压的完整表达式就知道了

helianalog · 发表于 2011-6-23 09:57:54

在EECS240 lecture中，随着L的增大，VTH是先上升，然后下降，其中有考虑到holo作用。

shikaicool · 发表于 2011-6-23 13:40:09

这个需要具体问题具体分析了影响的因素不是单一的

cc1405 · 发表于 2011-6-24 17:41:04

回复 7# helianalog

谢谢~

gy118 · 发表于 2011-6-24 17:54:10

回复 4# cc1405

按照DIBL效应VTH是随L增大而增大的，但是现在的小尺寸工艺中一般都会采用halo结构，这样VTH和L的关系就不是那么确定了，有时候甚至随L增大而减少了

[求助] 关于MOS的栅长和阈值电压的关系