带隙中电阻的几个问题

papadin · 发表于 2011-6-15 17:21:18

1.工艺文件中有类电阻是silicide resistors，例如silicide n+ diffusion resistance，还有类电阻是non-sili ...
favourite626 发表于 2011-6-13 18:01

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第一个 silicide 就是向电阻注入啥啥啥使其方块电阻降低； non－silicide 就是不注入，方块电阻就比较大就这点区别

goodsilicon · 发表于 2011-6-15 17:41:07

第一个 silicide 就是向电阻注入啥啥啥使其方块电阻降低； non－silicide 就是不注入，方块电阻就比 ...
papadin 发表于 2011-6-15 17:21

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准确的说不是注入，是形成硅化物。

papadin · 发表于 2011-6-15 18:03:04

准确的说不是注入，是形成硅化物。
goodsilicon 发表于 2011-6-15 17:41

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如何形成硅化物
请教
工艺不是很懂

goodsilicon · 发表于 2011-6-16 09:25:59

回复 lindychen

怎么和楼上的说的不一样呢，他的意思是p+diff电阻匹配差，一般不用
favourite626 发表于 2011-6-14 22:01

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同意六楼。

goodsilicon · 发表于 2011-6-16 09:28:43

如何形成硅化物
请教
工艺不是很懂
papadin 发表于 2011-6-15 18:03

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网上应该搜得到。版图艺术这本书里也有。

CMOS工艺中有一种工艺步骤叫自对准硅化物(salicide)，就是干这个的，减小金属与半导体之间的电阻，更准确的说是将肖特基接触变为欧姆接触。

muyu0786 · 发表于 2011-6-16 16:03:22

路过看看，回答很好。受教

samuelyou · 发表于 2011-6-18 00:55:02

13L准确，电阻P+随工艺变化较小，很多人喜欢用来做BG, 但面积功耗很难平衡，所以又有很多人选用HiRPoly

侯门似海 · 发表于 2015-7-1 16:47:28

原来如此

rfmdmenglb · 发表于 2015-7-9 23:23:37

一般工艺文档里含有这些信息。

totowo · 发表于 2015-7-10 08:52:29

silicide之后电阻率会降低

1.工艺文件中有类电阻是silicide resistors，例如silicide n+ diffusion resistance，还有类电阻是non-sili ...
favourite626 发表于 2011-6-13 18:01

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