带有位使能信号的memory的mbist

xiangql · 发表于 2011-5-12 23:04:12

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碰到一个带有位使能信号的memory，想做他的mbist
在写memory model的时候，片选使能和写使能很好写，就是
chip_enable cen low;
write_enable wen low;
但是申明位使能信号的时候不知道该怎么搞了，而且这个信号还不止一位
望高手指点

qingwatiaowu · 发表于 2011-5-13 11:25:31

位写使能也可以在memory model里声明的．新版本的mbistarchitect还有相对与位写使能的算法．

xiangql · 发表于 2011-5-14 13:01:51

回复 2# qingwatiaowu

请问应该怎么声明，不知道怎么写啊

alan502406 · 发表于 2011-5-14 19:50:35

回复 1# xiangql

謝謝分享

qingwatiaowu · 发表于 2011-5-15 10:55:45

就是就是在model里将其位宽书写出来，形式跟address、data一样，只是后边要注明low | high。

我的印象中是这样的，很久没接触了，细节没法说明。看看user guide最好了。

xiangql · 发表于 2011-5-15 15:15:08

回复 5# qingwatiaowu

额。我手上有的user gd都没介绍这部分内容，不知道哪能找到啊？

qingwatiaowu · 发表于 2011-7-7 18:31:17

如果不在user guide里，那就是在referrence manual里有介绍．记不请啦

fu2006 · 发表于 2011-7-15 15:49:58

位使能也属于write_enable 信号，只不过需要具体定义出write_enable_map到的具体D端是哪个。

啥日子的猪 · 发表于 2012-5-20 21:39:28

恩，对照document

max_xj · 发表于 2019-9-27 14:44:46

楼主后来问题解决了么？是怎么写的？我现在也遇到相同的问题

[求助] 带有位使能信号的memory的mbist