ESD中HBM测试中的有关问题求助！

zhouyunye195 · 发表于 2011-5-6 10:19:09

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请教下大家！在ESD HBM测试中地对电源打正电failure了，但地对电源打负电PASS了。地对电源打正电是导通的二极管放电能力应该更强的？但failure了，而对电源负电时倒pass 了？大家看哈都有些啥原因？

zhukh · 发表于 2011-5-6 11:54:03

地PAD是采用什么ESD保护结构，多少伏的时候失效的，失效模式是什么，这个地与电源之间的距离多远？

glacialwang · 发表于 2011-5-6 13:38:36

確認一下失效的位置是哪是否為內部電路有無薄氧化層的閘極直接接到地

zhouyunye195 · 发表于 2011-5-6 19:01:22

回复 2# zhukh

GGNMOS 失效模式不清楚，HBM测试时2K就failure,距离不是很远，这种状况一般都有哪些可能？

zhouyunye195 · 发表于 2011-5-6 19:03:17

回复 3# glacialwang

OK! Thanks!

zhukh · 发表于 2011-5-6 22:06:34

回复 4# zhouyunye195

有可能是gateoxide击穿了，也有可能是接P-sub的P+有源区面积太小，不清楚，要具体看layout

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