流片时RF MOS和analog MOS的制造流程是完全一样的么？

christon · 发表于 2011-3-26 22:04:16

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本帖最后由 guang3000 于 2011-4-22 18:35 编辑

[求助]流片时RF MOS和analog MOS的制造流程是完全一样的么？

因为我做了一个RF的电路，由于用了自己的layout方法而不是library自动生成的layout，使得LVS过不了。如果删去一些层，比如LVS_RF等（Design Rule说这些层仅仅是LVS时使用的），然后在电路图中改成analog MOS，就可以通过LVS。

问题是实际流片生产中，RF MOS和analog MOS的制造流程是完全一样的么？比如一个管子用了RF MOS，旁边的一个管子用的是analog MOS，两者尺寸完全一样，layout的形状也一样（当然analog MOS的layout没有LVS_RF等），做出来的性能也是一样么？

谢谢了。

icdreamer · 发表于 2011-3-26 22:41:31

不是有SoC这个词吗
具体你的神马工艺需要再确认一下

hezudao · 发表于 2011-3-27 00:44:02

一样的，RF_MOS只是在schematic simulation中加入了更多的parasitics.实际layout normal MOS 和 RFMOS没区别

christon · 发表于 2011-3-27 13:20:00

哦，就是RF MOS和analog MOS仅仅是model不同而已（RF MOS对寄生效应模拟的更精确一些），具体生产的时候还是一模一样的？

goodsilicon · 发表于 2011-3-27 19:52:59

哦，就是RF MOS和analog MOS仅仅是model不同而已（RF MOS对寄生效应模拟的更精确一些），具体生产的时候还是 ...
christon 发表于 2011-3-27 13:20

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然也，三楼是正解。

hezudao · 发表于 2011-3-27 20:39:48

回复 5# christon

shi di

fuyibin · 发表于 2011-3-28 10:14:49

[求助]流片时RF MOS和analog MOS的制造流程是完全一样的么？

因为我做了一个RF的电路，由于用了自己的la ...
christon 发表于 2011-3-26 22:04

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RF MOS 和analog MOS从工艺角度来说是一样的
RF layer只是CAD layer, lvs时候区分device而已，不是mask layer
如果是tsmc的话，RF MOS 就是他给你layout 画好了，电路做前仿时候都带寄生的，或者说model更准确

bing131 · 发表于 2011-3-29 23:46:16

那么普通Analog工艺的金属厚度也和RF的一样吗，还是不同呢？

goodsilicon · 发表于 2011-3-30 09:26:17

那么普通Analog工艺的金属厚度也和RF的一样吗，还是不同呢？
bing131 发表于 2011-3-29 23:46

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RF top 金属比较厚，用来做电感；其他的都一样。所谓的analog/RF工艺都是在logic工艺上添添补补，大部分是一样的。

blue_163_com · 发表于 2011-4-22 14:05:35

一样的，只是RF模型增加了高频模型！

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