关于高压MOS器件

rengd02 · 发表于 2011-1-4 16:10:53

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高压器件有对称和非对称两类，对称器件的源漏都可以接高压，而非对称器件只有漏可以接高压。
请问什么情况下，对于NMOS，源要接高压；而对于PMOS，源是不接高压的呢？

allentel · 发表于 2011-1-5 09:53:05

高压dc-dc中一般用非对称的LDNMOS做high side MOSFET，在这种应用中，LDNMOS的源接SW导通时候接VIN是高压。高压PMOS，用于对外接bootstrap电容充电时，源接低压内部电源，漏接BST（此为高压PIN）。

kplwqx · 发表于 2011-3-25 14:28:59

怎么不懂啊

muyu0786 · 发表于 2011-3-25 17:14:42

源端耐高压主要是为了提高源极和衬底之间的耐压，因此，当源极和衬底接不同电位而且压差大于5V(一般)就会考虑用对称的，不然不需要。

zjgrace5 · 发表于 2011-3-26 20:57:24

回复 1# rengd02

好

mixsignal · 发表于 2011-3-28 21:06:47

这个是高压的东西啊

xievic · 发表于 2011-3-29 11:03:05

回复 4# muyu0786

认同你的观点

大哥你什么座 · 发表于 2011-3-31 21:39:59

学习了 2楼说的high side 也就是synchronous Device吧

rsjcqr · 发表于 2011-5-16 14:21:51

学习了，谢谢

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