超深亚微米无负载四管与六管SRAM SNM 的对比研究

myings · 发表于 2011-2-3 18:09:51

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超深亚微米无负载四管与六管SRAM SNM 的对比研究

摘要：采用基于物理的指数MOSFET模型与低功耗传输域MOSFET模型，推导了新的超深亚微米无负载四
管与六管SRAM存储单元静态噪声容限的解析模型．对比分析了由沟道掺杂原子本征涨落引起的相邻MOSFET
的阈值电压失配对无负载四管和六管SRAM单元静态噪声容限的影响。
关键词：SRAM单元稳定性，静态噪声容限，阈值电压失配

lunwen.pdf (381.1 KB, 下载次数: 351 )

zh123456789 · 发表于 2011-2-5 10:51:40

西诶诶啊

abcd1234abcd · 发表于 2011-2-7 13:44:17

Thanks

cra47 · 发表于 2011-2-9 14:02:54

xiexie!

bhpeng · 发表于 2011-2-10 14:44:23

看看

yxxjtu · 发表于 2011-2-27 10:56:15

li116tao · 发表于 2011-7-23 11:51:49

gfdhjsk hfdklajhf jsfasklfjje

bjxiaoyuan · 发表于 2011-7-27 17:49:15

回复 1# myings

thank you very much

bjxiaoyuan · 发表于 2011-7-29 17:26:26

good reference for SRAM design回复 1# myings

j055116 · 发表于 2011-9-3 16:54:55

謝謝最近在研究這個

[资料] 超深亚微米无负载四管与六管SRAM SNM 的对比研究

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