版图设计

sudan620 · 发表于 2010-9-3 13:05:01

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65nm工艺画版图捕捉点设置为多少？（也就是按e键，在显示设置Display Options里游标可移动的最小单位）。我一开始设置为0.001，但做DRC的时候有Grid violation的报错（画135度角拐弯线的时候）。

goodsilicon · 发表于 2010-9-3 13:14:20

设小了吧，0.005，工艺文件上找得到。

sudan620 · 发表于 2010-9-3 13:46:15

我试下。是在工艺文件上找，还是在设计规则上找，工艺文件上貌似没有啊。

sdd731120 · 发表于 2010-9-4 11:43:42

期待答案，我也不大明白

fuyibin · 发表于 2010-9-4 21:23:49

65nm工艺画版图捕捉点设置为多少？（也就是按e键，在显示设置Display Options里游标可移动的最小单位）。我一开始设置为0.001，但做DRC的时候有Grid violation的报错（画135度角拐弯线的时候）。
sudan620 发表于 2010-9-3 13:05

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tsmc65 的最小个点是5nm，你设成1nm就会grid violaton

simon_19851202 · 发表于 2010-9-6 11:26:51

我怎么记得 130nm及以上是5nm/ 110nm及以下是1nm...
难道我记错了...? 直接检查T.F.吧...
按照你的问题, 肯定不是设置的问题,因为你的layout 图形grid violation error只出现在45/150度斜角的地方,仔细检查你的layout吧, 看是否是人为操作失误..或者还有种情况就是,你是用的path线去画斜角,因为通常都是keep path中线在格点上,所以两个边经常不在格点...若是这种情况,直接将path换成retangle/polygon就好..

个人意见,仅供参考

insulator · 发表于 2010-9-6 14:22:27

我一般画版图都按实际会用到的最小尺寸线的一半的小数点精度来设置，然后保持snap=min max=5min，这样比较方便，也不容易出错，个人意见。。。

cllf · 发表于 2010-9-9 17:37:57

学习。。。

niyabo · 发表于 2015-3-30 19:32:21

tsmc 65nm的却是65nm

Pistol_sun · 发表于 2016-2-28 22:27:45

谢谢。。/////////

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