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[原创] 关于过驱动电压的疑问

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发表于 2010-8-24 17:24:41 | 显示全部楼层 |阅读模式

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通常电流镜的过驱动电压都是大点好,
书上也是这么说的,我也觉得很有道理。

但是最近看了一些电路,是linear的,
它们的一些电流镜的过驱动电压很小,
几十mV的很普遍,
而且根本不用倒比管,
对于这个现象很纳闷
发表于 2010-8-24 20:04:54 | 显示全部楼层
怎么知道LINEAR的过驱动电压很小?
 楼主| 发表于 2010-8-24 20:08:02 | 显示全部楼层
发表于 2010-8-24 20:53:26 | 显示全部楼层
工作在sub-threshold区域,用较小的功耗获得较大的gm
发表于 2010-8-24 23:38:01 | 显示全部楼层


工作在sub-threshold区域,用较小的功耗获得较大的gm
rookie_dsm 发表于 2010-8-24 20:53



好像有道理
 楼主| 发表于 2010-8-25 08:25:44 | 显示全部楼层
本帖最后由 confiope 于 2010-8-25 08:26 编辑


工作在sub-threshold区域,用较小的功耗获得较大的gm
rookie_dsm 发表于 2010-8-24 20:53


------------------------------
一般的电流镜的MOS 管 gm 小点好
发表于 2010-8-25 08:32:57 | 显示全部楼层
应该看具体地方吧?是不是偏置电流跟输出电流有关?
 楼主| 发表于 2010-8-25 08:59:01 | 显示全部楼层


应该看具体地方吧?是不是偏置电流跟输出电流有关?
vdslafe 发表于 2010-8-25 08:32


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和那没有关系
发表于 2010-8-25 09:58:13 | 显示全部楼层
如果芯片的静态电流小于10uA,基本可以认定大部分管子在亚阈值区工作。
亚阈区的好处就是增益大、功耗小,随便一款运放都可以做到100+dB。
缺点就是成本高、成品率不够,除非工艺足够牛逼。一般的设计公司不愿意碰这块。
 楼主| 发表于 2010-8-26 08:33:23 | 显示全部楼层


如果芯片的静态电流小于10uA,基本可以认定大部分管子在亚阈值区工作。
亚阈区的好处就是增益大、功耗小,随便一款运放都可以做到100+dB。
缺点就是成本高、成品率不够,除非工艺足够牛逼。一般的设计公司不愿意碰 ...
grusher 发表于 2010-8-25 09:58


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即使不增加电流,也完全可以将vdsat做的更大,
但是它就不这样做
比如说一支路的电流为700nA,
电流镜管子是5/2 *2,
为什么不作成4/5呢
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