关于论坛中下到的TI大牛的PTAT的疑问

migocjj

怎么没人回答呢？

steve_guo_1997

放心的用，至少是ST常用结果

suqiang0303

电阻引入负反馈，不会自锁吧
结构我用过，反剖出来的

steve_guo_1997

Because of local feedback R, there is little chance to cause latchup(positive feedback).
It do have a positive feedback in this ckt,
but no harm to have a positive feedback with gain < 1.

359705716

ksnguo

qerqing

sanson的书上见过类似的结构，可惜没有深入解释

migocjj

sanson?是什么？ 16# qerqing san

wch

真是学习了啊

zhongbo1127

该电路的确可能不稳定，也就是输出要不很大要为不零，但是不太可能产生栓锁。
但是只要处理得当 是非常好的一个电流源
约定：由左下三极管开始 顺时针 依次设为 Q1 Q2 Q3 Q4
首先 断开Q1和Q4基级的连接，求整个环路增益。
A(open_loop)=gmq1*1/(1/gma3)*(gmQ2/(1+gmQ2*Rs)*(1/gmQ4))  此处不明白可以再问我
分析可得，只要该环路增益<1，整个反馈便可以稳定。
所以只要满足
（gmQ1*gmQ2）/ （gmQ3*gmQ4）<1即可 （非充分条件）
根据分析可以得到：
如果 Q1 面积等于Q4 ,Q2等于Q3。那么只要 底下两个管子的发射区面积小于上面两个管子。则可以保证环路稳定。（再次注意，还要考虑到1+gmQ2*Rs，所以这不是稳定的充分条件）

呵呵  好运

ybhsu2008

对于这个电路，很多人都做了回答，让你放心的用，这都是对的。但是，你给出的电路只是给出了部分，而且看你是想做什么用。如果你想做一个PTAT电流源，配合其他电路产生Bandgap参考电压，就要求对于Iin和Io需要让其镜像成合适的比例，保证Q1~Q4都工作在饱和区，并且有较高的hef，那么电阻R上的压降VR=（VBE3+VBE1）-（VBE4+VBE2）=kT/q *ln(mn)，如果你设计你的电阻式零温度系数的电阻，那么电流Io和或Iin就是一个PTAT电流了！！一般的匹配要求Q4和Q1；Q3和Q2进行，这样使用一定要注意各个管子的工作状态和较高的电流增益。否则会引入较大的误差。