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关于MOS管进入饱和区后电流的流向问题

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发表于 2009-10-12 23:00:19 | 显示全部楼层 |阅读模式

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当反形层沟道夹断后,源端电子怎么到漏端呢?夹断点到漏端还有一段距离,这里可以走电流吗,这段距离已经不是反形层了,是什么导电原理呢?
发表于 2009-10-13 03:08:42 | 显示全部楼层
电子还是可以过去的
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发表于 2009-10-13 08:55:38 | 显示全部楼层
高手来答一下吧
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发表于 2009-10-13 09:26:14 | 显示全部楼层
it is similar to the case of carrier injection from an emitter-base junction to the base-collector depletion region of a bipolar transistor.施敏的原话
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发表于 2009-10-13 09:49:38 | 显示全部楼层
耗尽区扫过去的
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发表于 2009-10-13 10:06:22 | 显示全部楼层
加断点处电压是vgs-vthn,从加断点到漏端电压是vds-vgs+vthn,正是这个电压把从源端流到夹断点的电子迁移到漏端, 故电流基本保持不变
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发表于 2009-10-13 14:15:13 | 显示全部楼层
耗尽层自己提供不了载流子,但是源端和漏端的载流子可以在耗尽层的电场作用下迁移过去
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发表于 2009-10-13 14:52:11 | 显示全部楼层


   
加断点处电压是vgs-vthn,从加断点到漏端电压是vds-vgs+vthn,正是这个电压把从源端流到夹断点的电子迁移到漏端, 故电流基本保持不变
海之子306916 发表于 2009-10-13 10:06



既然是耗尽区,就是说没有自由载流子,即使电压加上,怎么会有电流?正是楼主不解之处。楼上关键地方还没有说清楚。
设La是夹断区(即耗尽区)长度,则一个大小为(vds-vgs+vthn)/La的电场加在耗尽区两端,电场方向从d指向夹断点(右指向左),电场把耗尽区右侧一个电子从晶格中抽离,留下空位即空穴,紧邻左侧晶格的电子又跳入该空位,如此这般,直到夹断点的一个自由电子移入耗尽区左侧,电子就是这样“穿过”耗尽区的。这是一个连续过程,就形成了饱和电流IDSsat
大家可以回忆一下NPN三极管的工作原理,从e区注入b区的电子是怎样被c区收集的,原理是一样的。



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发表于 2009-10-13 14:52:20 | 显示全部楼层
车开快了,有个小沟小坎的也能冲过去啦~~~~
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发表于 2009-10-13 16:01:05 | 显示全部楼层
其实“关于MOS管进入饱和区后电流的流向问题”,可以直接做直流分析,就是DC analysis,就可知道the direction of the current operating in the saturation region.
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