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请教:功率管附近温度多高?

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发表于 2009-2-23 11:44:04 | 显示全部楼层 |阅读模式

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1A以下的DCDC buck,大概就在驱动MOSFET的反相器链这个位置吧
3x

[ 本帖最后由 batnet 于 2009-7-7 05:02 编辑 ]
 楼主| 发表于 2009-2-24 11:37:15 | 显示全部楼层
功率管的温度保护通常130——150,就不知道附近是不是也有100以上呢?
发表于 2009-7-7 02:15:15 | 显示全部楼层
温度大概是这么估算的。

你需要知道这些数据:
1、MOSFET的Rds_on (=200 mohm)
2、MOSFET的Rth(热阻)(=100 C/W)
3、你的电路的占空比 D(MOSFET在一个周期内的导通时间) (= 0.5)

那么,MOSFET上消耗的功率为:
P=Id^2*Rds_on*D=1^2*0.2*0.5=0.1 W
温度为:
Tmos=P*Rth+Troom=0.1*100+25=35 C

粗略估计,欢迎大家补充和指正。
发表于 2009-7-12 10:50:37 | 显示全部楼层
斑竹的估算公式正确,可以使用。不过热沉不同要作适当的修改。
发表于 2009-7-12 18:39:55 | 显示全部楼层
呵呵,我用了IR的某个管子的数据,当时没有细想。现在看来,它的热阻好小呵。可能是理想导热情况下的。
发表于 2009-7-16 00:27:07 | 显示全部楼层
最近接触到很多详细的计算公式
终于开始从感觉到理论了
呵呵
看来学模拟电路
还是得自己做电路啊

看到公式推导的小小感触,见笑见笑


原帖由 batnet 于 2009-7-7 02:15 发表
温度大概是这么估算的。

你需要知道这些数据:
1、MOSFET的Rds_on (=200 mohm)
2、MOSFET的Rth(热阻)(=100 C/W)
3、你的电路的占空比 D(MOSFET在一个周期内的导通时间) (= 0.5)

那么,MOSFET上消 ...

发表于 2009-7-16 09:50:01 | 显示全部楼层
关键是热阻比较难控制,MOSFET DATASHEET 需要在 一定大小的地方,铺上铜层,不知道对风流有没有要求,
发表于 2009-7-16 13:06:37 | 显示全部楼层
2、MOSFET的Rth(热阻)(=100 C/W)


这是经验值么?
应该还和Package有关吧!
发表于 2009-7-16 15:42:09 | 显示全部楼层


原帖由 hanksac 于 2009-7-16 13:06 发表
2、MOSFET的Rth(热阻)(=100 C/W)


这是经验值么?
应该还和Package有关吧!



这是IR某个datasheet上引用来的,应该是那个包装,用了极好的heat sink,并且底板和heat sink之间用导热剂连接。通常的大包装,在不流动的空气里,我觉得300-500C/W差不多。
发表于 2009-7-18 00:36:52 | 显示全部楼层
有的专门供功率管的三角封装热阻可以小到4。
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