请教LDMOS不同后缀（HSD、LSD、Isolated）的区别

double洋芋

小弟是模拟IC设计萌新，最近在设计中需要用到一个LDMOS，在选管子的时候发现同样耐压的LDMOS有不同的后缀（剖面图附后）。想请教一下各位大佬，这三种6V NLDMOS的区别，以及每种管子的适用情况。
我个人的一些理解是，LSD的管子是没有隔离的，衬底和源极一起接地，适用于源极接地的低边应用。HSD和Isolated的管子有隔离环，适用于高边应用，但二者的具体区别又有些不清楚。请大佬指教

andyfan

应该就是ISO应用场景更广，但是面积最大，用的MASK最多；HSD，里面DRAIN和ISO是接一起的，强制等电位了。

ISO比HSD多个DNW的隔离，把DRAIN和ISO分开了。再对比下同样W/L下的版图面积就更清楚了。

double洋芋

   

andyfan 发表于 2025-9-25 07:25
应该就是ISO应用场景更广，但是面积最大，用的MASK最多；HSD，里面DRAIN和ISO是接一起的，强制等电位了。

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非常感谢您的回复！不知道您能不能举一个只能使用ISO，而HSD不可以的应用场景呢？我想象了一个场景：在某个电路的启动过程中，LDMOS存在源极电压高于漏极电压（漏极电压并未接在VDD）的情形，如果这个LDMOS采用的是HSD，那么由于漏极和和隔离环时接在一起的，所以源极与隔离环的PN结可能会导通，也许会导致闩锁（我不确定），但如果这个管子采用ISO，隔离环可以接在VDD，那么就会避免这个问题。不知道我想象的场景以及分析是否正确，请您指教