为什么运放/比较器的offset，温度越高offset越大

chen20599

如题，小弟在仿真最简单的pmos输入对管的五管OTA和比较器时，都会发现offset会随着温度变大而变大。但我plot了nmos的gm变化和pmos的gm变化，发现nmos的gm随温度的变化比pmos要大，根据offset的计算公式，最终offset应该变小才对，这是什么原因呢？另外，很多运放都喜欢用PTAT电流，温度高的时候电流变大，补偿一点offset随温度变大而变大的影响，这个offset随温度变化的趋势应该是对的，但想不明白是为什么。

qiaogang2220

失调主要来自阈值电压失配，阈值电压的失配系数在你的工艺里跟温度的关系有么

迷路大脸猫

温度高了之后，输入级的gmoverid减少了，意味着对其余项失配的抑制能力变弱了，总失配会增加。

chen20599

   

迷路大脸猫 发表于 2025-9-22 14:50
温度高了之后，输入级的gmoverid减少了，意味着对其余项失配的抑制能力变弱了，总失配会增加。 ...

但是电流镜的gm也变小了耶，而且我看过高温下nmos电流镜的gm变化更大，电流镜失配带来的影响最终折算到输入端应该是变小了才对

迷路大脸猫

   

chen20599 发表于 2025-9-25 17:40
但是电流镜的gm也变小了耶，而且我看过高温下nmos电流镜的gm变化更大，电流镜失配带来的影响最终折算到输 ...

这里的其余项也有β的失配，具体可以看sansen第十五章的1528