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[全新] 一款300mA、低压降稳压器TPS7A6333QPWPRQ1 TPS25200DRVR C3M0075120K SiC MOSFET

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发表于 2025-7-23 18:02:21 | 显示全部楼层 |阅读模式

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TPS7A6333QPWPRQ1是一款具有看门狗计时器的汽车类 300mA、电池供电运行 (40V)、低 IQ、低压降稳压器,以下是其关键特点:
符合面向汽车 应用的 AEC-Q100 标准:
温度等级 1:-40°C 至 125°C,TA
结温范围:–40°C 至 150°C,TJ
低压降:
在 IOUT = 150mA 时为 300mV
7V 至 40V 的宽输入电压范围,瞬态电压高达 45V
最大输出电流为 300mA
超低静态电流:
轻负载时 IQUIESCENT = 35µA(典型值)
EN = 低电平时 ISLEEP < 2µA
3.3V 和 5V 固定电压,可调节电压范围为 2.5V 至 7V
具有故障/标志的集成看门狗
与低 ESR 陶瓷输出电容器搭配使用时可保持稳定
集成上电复位:
可编程延迟
开漏复位输出
集成故障保护:
短路和过流保护
热关断
低输入电压跟踪
耐热增强型 14 引脚 HTSSOP-PWP 封装和 10 引脚 VSON-DRK 封装

说明
TPS7A6333QPWPRQ1是低压降线性稳压器系列产品,专为在轻负载应用中实现低功耗和小于 35µA 的静态电流而 设计。这类器件具有集成的可编程窗口看门狗和过流保护功能,即使与低 ESR 陶瓷输出电容器搭配使用,也能实现稳定运行。设计人员可使用外部电阻器来设定输出电压。低压跟踪特性允许使用更小的输入电容器并且有可能在冷启动期间无需使用升压转换器。加电复位延迟固定(典型值 250µs),或者使用一个外部电容器可设定延迟。凭借这些特性,TPS7A6333QPWPRQ1器件非常适合用于各种汽车应用的电源。

应用场景
TPS7A6333QPWPRQ1非常适合用于汽车电子或严苛工业环境,适用于需高输入电压、低噪声电源设计的场景‌。


TPS25200DRVR是一款关断时可实现反向电流阻断的 2.5V 至 6.5V、60mΩ、0.085A 至 2.9A 电子保险丝,具有以下核心特点:
2.5V 至 6.5V 工作电压
输入可耐受高达 20V 的电压
7.6V 输入过压关断
5.25V 至 5.55V 固定过压钳位
0.6µs 过压锁定响应
3.5µs 短路响应
集成式 60mΩ 高侧 MOSFET
高达 2.5A 的持续负载电流
2.9 A 电流下的限流精度为 ±6%
禁用时反向电流阻断
内置软启动
与 TPS2553 引脚到引脚兼容
通过 UL 2367 认证
文件编号 169910
RILIM ≥ 33kΩ(最大电流为 3.12A)
原理图.png
TPS25200DRVR可在过压和过流事件发生期间为负载和电源提供可靠保护。
TPS25200DRVR是一款用于保护负载的智能开关,可耐受 20V 的输入电压。如果在输入端施加了错误电压,输出端可将电压限制在 5.4V,以保护负载。如果输入端的电压超过 7.6V,此器件将断开负载,以防止对器件和/或负载造成损坏。
TPS25200DRVR 具有 60mΩ 的内部电源开关,可用于在多种异常情况下保护电源、器件和负载。此器件提供高达 2.5A 的持续负载电流。通过一个连接到地的电阻,可对限流值在85mA到2.9A范围内进行设置。

应用领域
TPS25200DRVR 适用于电动汽车充电设备、混合动力系统等需要高可靠性电源保护的领域‌。


C3M0075120K是一款1200V碳化硅(SiC)MOSFET,采用第三代半导体技术,适用于高压、高频大功率场景。
核心参数
‌耐压等级‌:1200V
‌连续漏极电流‌:30A
‌导通电阻‌:75mΩ(典型值)
‌功耗‌:113.6W至136W
‌封装‌:TO-247-4
‌工作温度范围‌:-40°C至+175°C
特性
‌低导通损耗‌:基于碳化硅材料,开关速度比硅基器件快4-5倍,适合高频应用
‌高温稳定性‌:可在高温环境下保持性能,适用于电动汽车、太阳能逆变器等场景
‌可靠性‌:通过车规级测试,符合RoHS标准
应用领域
‌新能源‌:电动汽车充电桩、高压DC/DC转换器
‌工业控制‌:电机驱动、UPS电源
‌电力电子‌:太阳能逆变器、储能系统 ‌

明佳达提供全新汽车类 300mA、低压降稳压器TPS7A6333QPWPRQ1 TPS25200DRVR电子保险丝 C3M0075120K SiC MOSFET

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