（BiMOS）CA3140EZ运算放大器 LM5117PMHE STW58N60DM2AG汽车级功率MOSFET

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CA3140EZ：4.5MHz、BiMOS 运算放大器，具有 MOSFET 输入 / 双极性输出，以下是其核心特性：
MOSFET 输入级
极高输入阻抗 （ZIN） -1.5TΩ （典型值）
±15V 时极低的输入电流 （Il） -10pA （典型值）
宽共模输入电压范围 （VlCR） - 可在负电源电压轨以下摆动 0.5V
输出摆幅补充了输入共模范围
在大多数应用中直接替代工业型 741
提供无铅 Plus 退火（符合 RoHS 标准）

说明
CA3140EZ是集成电路运算放大器，在单个单片芯片上结合了高压 PMOS 晶体管和高压双极晶体管的优点。CA3140EZ BiMOS 运算放大器在输入电路中采用栅极保护 MOSFET （PMOS） 晶体管，可提供非常高的输入阻抗、非常低的输入电流和高速性能。CA3140EZ放大器可在 4V 至 36V 的电源电压下工作（单电源或双电源）。

这些运算放大器经过内部相位补偿，可在单位增益跟随器作中实现稳定运行，此外，如果需要额外的频率滚降，CA3140EZ还配有用于补充外部电容器的接入端子。CA3140EZ还提供端子，用于需要输入偏移电压归零的应用。在输入级中使用 PMOS 场效应晶体管，使共模输入电压能力降至 0。负电源端子下方 5V，这是单电源应用的一个重要属性。输出级使用双极晶体管，并包括内置保护，防止负载端子对电源轨或接地短路造成的损坏。

应用领域
汽车和便携式仪器仪表中的地参考单电源放大器
采样保持放大器
长持续时间计时器/多谐振荡器（μ秒-分钟-小时）
光电流仪器
峰值检测器
主动过滤器
比较
5V TTL 系统和其他低电源电压系统中的接口
所有标准运算放大器应用
函数生成器
Tone 控件
电源
便携式仪器
入侵警报系统

明佳达（供应）——（BiMOS）CA3140EZ运算放大器 LM5117PMHE同步降压控制器 STW58N60DM2AG汽车级功率MOSFET
LM5117PMHE是一款5.5V 至 65V 宽输入电压、电流模式同步降压控制器。它具有以下主要特点：
■ 仿真峰值电流模式控制
■ 5.5V 至 65V 宽工作电压范围
■ 稳定的 3.3A 峰值栅极驱动
■ 自适应死区时间输出驱动器控制
■ 自由运行或同步高达 750 kHz 的时钟
■ 可选的二极管仿真模式
■ 0.8V 可编程输出
■ 精度为 1.5％ 的电压基准
■ 模拟电流监视器
■ 可编程电流限制
■ 断续模式过流保护
■ 可编程软启动和跟踪
■ 可编程输入欠压锁定
■ 可编程切换至外部偏置电源
■ 热关断

一般说明
LM5117PMHE是一款同步降压控制器，适用于高电压或各种输入 电源的降压型稳压器应用。其控制方法基于采用仿真电流 斜坡的电流模式控制。电流模式控制具有固有的输入电压 前馈、逐周期电流限制和简化环路补偿的功能。使用仿真 控制斜坡可降低脉宽调制电路对噪声的敏感度，有助于实现 高输入电压应用所必需的极小占空比的可靠控制。

LM5117PMHE的工作频率可以在 50 kHz 至 750 kHz 范围内设定。 LM5117PMHE可利用自适应死区时间控制来驱动外部高边和低边 NMOS 功率开关管。用户可选的二极管仿真模式可实现非 连续模式操作，提高轻负载条件下的效率。高电压偏置稳压器 可利用外部偏置电源进一步提高效率。LM5117PMHE独特的模拟 遥测功能可提供平均输出电流信息。其他功能还包括热关断、 频率同步、断续 (hiccup) 模式电流限制和可调输入欠压锁定。


STW58N60DM2AG是一款汽车级N沟道600 V、50 A MDmesh DM2功率MOSFET，采用TO-247封装。
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmesh™ DM2 快速恢复二极管系列的一部分。STW58N60DM2AG具有非常低的恢复电荷 （Qrr） 和时间 （trr） 以及低 RDS（on），使其适用于最苛刻的高效率转换器，是桥式拓扑和 ZVS 相移转换器的理想选择。

主要特性
 专为汽车应用而设计，符合 AEC-Q101 标准
 快速恢复体二极管
 极低的栅极电荷和输入电容
 低导通电阻
 100% 雪崩测试
 极高的 dv/dt 耐用性
 齐纳保护

应用领域
 开关应用