基本股份B3M013C120Z（碳化硅SiC MOSFET）的产品力分析

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从基本股份推出的B3M013C120Z（1200V/176A SiC MOSFET）的产品力分析，中国SiC碳化硅MOSFET产业已实现显著进步，具体体现在以下核心维度：

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1. 核心技术参数达到国际主流水平高压大电流能力：
1200V耐压、176A连续电流（25℃）及352A脉冲电流，满足工业级高功率场景（如充电桩EVC、太阳能逆变器）。
超低导通损耗：
RDS(on)typ=13.5mΩ，接近国际头部厂商的同类产品水平。
高温稳定性：
在175℃高温下仍保持 RDS(on)=24mΩ，高温漏电流（IDSS​）仅50μA，体现碳化硅材料的高温优势。

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2. 动态性能与能效突破开关速度与损耗优化：
开关延迟时间（td(on)）仅28ns，关断损耗（Eoff）低至520μJ（@800V/60A），支持高频应用（如100kHz+ SMPS）。
反向恢复电荷（Qrr​）在175℃仅1200nC，显著优于硅基IGBT，降低续流损耗。
栅极电荷优化：
总栅极电荷 QG=220nC，驱动功耗低，简化驱动电路设计。

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3. 封装技术创新TO-247-4 Kelvin封装：
独立开尔文源极（Pin3）减少栅极回路寄生电感，抑制开关振荡，提升高频稳定性。
银烧结技术：
显著降低热阻（Rth(j−c)=0.2K/W），导热效率比传统焊料提升50%，支持更高功率密度设计。
175℃结温耐受：
超越传统硅器件125℃极限，适配高温环境（如电机驱动）。

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4. 应用场景覆盖全球前沿需求新能源与电动汽车：
明确标注适用于太阳能逆变器、EV充电桩、DC/DC转换器，直击碳中和核心赛道。
高频高密度电源：
低电容特性（Coss=210pF）和快速开关能力，契合数据中心服务器电源等高端需求。

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5. 国产产业链的突破性进展材料自主化：
衬底（碳化硅晶圆）制备曾是瓶颈，但中国厂商已实现6英寸量产，降低成本依赖。
制造工艺成熟：
关键工艺在文档中明确标注，表明国产工厂具备高可靠性制造能力。
设计能力提升：
器件特性曲线（如开关损耗 vs 温度/电流）测试完整度与国际大厂持平，体现仿真与验证体系成熟。
倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！
倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头：
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BASiC基本股份针对多种应用场景研发推出门极驱动芯片，可适应不同的功率器件和终端应用。BASiC基本股份的门极驱动芯片包括隔离驱动芯片和低边驱动芯片，绝缘最大浪涌耐压可达8000V，驱动峰值电流高达正负15A，可支持耐压1700V以内功率器件的门极驱动需求。
BASiC基本股份低边驱动芯片可以广泛应用于PFC、DCDC、同步整流，反激等领域的低边功率器件的驱动或在变压器隔离驱动中用于驱动变压器，适配系统功率从百瓦级到几十千瓦不等。
BASiC基本股份推出正激 DCDC 开关电源芯片BTP1521xx，该芯片集成上电软启动功能、过温保护功能，输出功率可达6W。芯片工作频率通过OSC 脚设定，最高工作频率可达1.5MHz，非常适合给隔离驱动芯片副边电源提供正负压供电。
对于碳化硅MOSFET单管及模块+18V/-4V驱动电压的需求，BASiC基本股份提供自研电源IC BTP1521P系列和配套的变压器以及驱动IC BTL27524或者隔离驱动BTD5350MCWR(支持米勒钳位)。

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中国SiC碳化硅功率半导体产业进入全球竞争阶段技术层面：从二极管到MOSFET的跨越已实现，核心参数、封装工艺逼近国际一线。
产业链层面：衬底-外延-设计-制造-封装全链条打通，国产替代进程加速。
市场层面：凭借性价比优势（预估价格比进口低20-30%），在光伏、储能、充电桩等市场快速渗透。
未来关键：需在车规级可靠性、8英寸衬底量产、模块集成能力上持续突破，真正进入全球高端供应链。