基本半导体碳化硅（SiC）MOSFET低关断损耗（Eoff）特性的应用优势

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BASiC基本股份半导体的碳化硅（SiC）MOSFET凭借其低关断损耗（Eoff）特性，在以下应用中展现出显著优势：

倾佳电子（Changer Tech）-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管，SiC碳化硅MOSFET模块，碳化硅SiC-MOSFET驱动芯片，SiC功率模块驱动板，驱动IC)分销商，聚焦新能源、交通电动化、数字化转型三大方向，致力于服务中国工业电源，电力电子装备及新能源汽车产业链。

BASiC基本股份SiC碳化硅MOSFET单管及模块一级代理商倾佳电子杨茜 微信&手机：13266663313
倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！
倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头：
倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块和IPM模块的必然趋势！
倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管和高压平面硅MOSFET的必然趋势！
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1. LLC谐振转换器应用场景：服务器电源、光伏逆变器、电动汽车充电桩等。
优势分析：
LLC拓扑依赖零电压开关（ZVS）降低开关损耗，但高频运行时关断损耗仍不可忽视。BASiC基本股份B2M/B3M SiC MOSFET的低Eoff（如B2M040120Z在18V驱动下Eoff仅212μJ），可进一步减少关断阶段的能量损耗。
结合其低FOM品质系数因子，高频下整体效率更高，功率密度提升。
高温性能（最大结温175°C）和可靠性（AEC-Q101认证）支持严苛环境下的稳定运行。

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2. 移相全桥（PSFB）应用场景：工业电源、大功率充电桩、储能变流器（PCS）。
优势分析：
移相全桥虽通过软开关（ZVS）降低损耗，但在轻载或瞬态条件下可能无法完全实现软开关，导致硬开关损耗。B2M/B3M的低Eoff（如对比国际品牌C3M*时Eoff降低30%）**，可有效缓解硬开关带来的损耗。
低Crss（反向传输电容）和优化的Ciss/Crss比值，减少串扰风险，提升开关稳定性。
在高压DCDC转换（如新能源汽车800V电池系统）中，高频与低损耗特性可显著提升效率和功率密度。

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3. 高频DCDC变换器应用场景：AI服务器电源、通讯电源、高频工业设备。
优势分析：
开关损耗降低30%（B2M系列）和FOM优化（B3M系列），使其在高频（>100kHz）场景下效率优势更明显。
TOLL封装（B3M 650V系列）的低杂散电感设计，进一步减少高频开关中的振铃和损耗。

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4. 新能源汽车高压系统应用场景：车载充电机（OBC）、高压DCDC、空压机驱动。
优势分析：
低Eoff结合高温稳定性（HTRB/HTGB测试通过），适合高温、高电压（1200V）环境。

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5. 光伏与储能系统应用场景：光伏逆变器、储能变流器（PCS）。
优势分析：
低开关损耗（Etotal降低30%）和高频能力，支持MPPT算法的高效运行。
模块化设计（如Pcore™2 E2B系列）的低RDS(on)（5.5mΩ）和Press-Fit工艺，适配大功率、高可靠性需求。

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基本SiC MOSFET低Eoff、高频性能优化及高可靠性设计





BASiC基本股份的SiC MOSFET通过低Eoff、高频性能优化及高可靠性设计，在LLC、移相全桥、高频DCDC等拓扑中显著提升效率与功率密度，尤其适用于光伏、新能源汽车、工业电源等高要求场景。其迭代产品（如B3M系列）进一步通过工艺升级和封装创新，巩固了在高压高频应用中的技术领先地位。