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【国产替代】ARK(方舟微)DMZ42C10S 完美替代 英飞凌BSS169 1、 DMZ42C10S产品简述 DMZ42C10S是ARK(方舟微)研发的一款耐压100V的N沟道耗尽型MOSFET产品,该产品性能优异,可靠性高,且参数定义范围与Infineon的BSS169基本一致。相较于BSS169,DMZ42C10S具有更低的导通电阻,以及更大的电流能力,可以对BSS169实现Pin-to-Pin完美替代。 2、DMZ42C10S与BSS169对比 1) 封装形式对比 file:///C:/Users/admin/AppData/Local/Temp/ksohtml7808/wps30.jpg file:///C:/Users/admin/AppData/Local/Temp/ksohtml7808/wps31.jpg 图1. DMZ42C10S封装类型及电极脚位 图2. BSS169封装类型及电极脚位 DMZ42C10S和BSS169均为SOT-23封装,且D、G、S电极分布完全一致。 2) 主要静态参数定义范围对比 *上述数据来源于两款产品的数据手册。 DMX42C10S各项参数的定义范围与BSS169基本一致。 3) 样品参数实测对比 DMZ42C10S具体更低的导通电阻和更大的电流能力,BSS169的实际耐压高于DMZ42C10S(注:ARK(方舟微)已经开发出了实际击穿电压与BSS169相近的升级款产品,后续即将推出)。 3、耗尽型MOSFET产品在应用中对标的主要特点说明 耗尽型MOSFET在绝大多数应用中,都是工作在亚阈值状态下(即栅-源电压VGS满足:VGS(OFF)<VGS<0V),此时耗尽型MOSFET的参数具有如下特点: a. 导通电阻RDS(ON):亚阈状态下导通电阻是变化的,且会明显超过VGS=0V时的电阻值(规格书中给出的电阻参数);但是当MOSFET工作在直通状态时,导通电阻越小,则会带来更低的电压降,且相应具有更大的电流能力。 b. 阈值电压VGS(OFF):只需要满足电路驱动电源要求以及电路参数要求即可,如搭配运放使用时,只要符合运放的驱动输出范围即可;如搭配电阻实现限流的应用,通过调节限流电阻的阻值,也可以使用不同阻值的电阻达到相近的限流需求。因此,不一定需要完全一样的阈值电压参数才能实现对标替代; c. 电流参数:一般主要关注耗尽型MOSFET在一定栅极偏压下的饱和电流大小(相对综合的参数)是否能满足电流的电流需求,饱和电流越大,则越能适配大电流下的应用。 因此,对于耗尽型MOSFET的替代选型,通常“参数是否一模一样”并不是对标选型的固定标准。 4、DMZ42C10S的典型应用方案介绍 a. 给DAC芯片/传感器调理芯片供电并提供过压保护 DMZ42C10S适合用于传感器、智能变送器中,给DAC芯片、传感器调理芯片供电,并为负载电路提供浪涌防护,典型应用电路如下: file:///C:/Users/admin/AppData/Local/Temp/ksohtml7808/wps32.png 图3. DMZ42C10S给AD421供电及提供过压保护的典型电路方案 b. 恒流/限流应用 DMZ42C10S适合用于构建简易恒流源,以及用于构建限流单元实现过流保护,典型应用方案如下: file:///C:/Users/admin/AppData/Local/Temp/ksohtml7808/wps33.png 图3.DMZ42C10S用于构建恒流及限流保护单元的典型方案
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