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[原创] 【国产替代】ARK(方舟微)DMZ42C10S 完美替代 英飞凌BSS169

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发表于 2025-3-6 14:49:44 | 显示全部楼层 |阅读模式

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【国产替代ARK(方舟微)DMZ42C10S 完美替代 英飞凌BSS169
1、 DMZ42C10S产品简述
DMZ42C10SARK(方舟微)研发的一款耐压100VN沟道耗尽型MOSFET产品,该产品性能优异,可靠性高,且参数定义范围InfineonBSS169基本一致BSS169DMZ42C10S具有更低的导通电阻,以及更大的电流能力,可以对BSS169实现Pin-to-Pin完美替代。
2、DMZ42C10S与BSS169对比
1) 封装形式对比
file:///C:/Users/admin/AppData/Local/Temp/ksohtml7808/wps30.jpg        file:///C:/Users/admin/AppData/Local/Temp/ksohtml7808/wps31.jpg
1. DMZ42C10S封装类型及电极脚位              图2. BSS169封装类型及电极脚位
DMZ42C10S和BSS169均为SOT-23封装,且D、G、S电极分布完全一致。
2) 主要静态参数定义范围对比
Item
BVDS
VGS(OFF)
ID(OFF)
IGSS
RDS(on)
RDS(on)
IDSS(Min)
Test condition
VGS=-10V,
ID=250uA
VDS=3V,
ID=50uA
VDS=100V,
VGS=-10V
VGS=20V,
VDS=0V
VGS=0V,
ID=50mA
VGS=10V,
ID=190mA
VGS=0V,
VDS=10V
DMX42C10S
100V
-2.9V-1.8V
0.1uA
10nA
Type: 1.2Ω
90mA
BSS169
100V
-2.9V-1.8V
0.1uA
10nA
12Ω
Type: 2.9Ω
90mA
*上述数据来源于两款产品的数据手册。
DMX42C10S各项参数的定义范围与BSS169基本一致。
3) 样品参数实测对比
Item
IGSSR
IGSS
ID(OFF)
BVDSS
VGS(Off)
RDS(ON)
IDSS
Test condition
VGS=-20V
VGS=20V
VDS=100V
IDS=250uA
ID=50uA
IDS=50mA
VDS=10V
VDS=0V
VDS=0V
VSG=10V
VSG=10V
VDS=3V
VG=0V
VGS=0V
DMZ42C10S
0.208nA
0.203nA
0.002uA
114.6V
-2.4V
1.78Ω
530.6mA
BSS169
0.375nA
0.438nA
0.002uA
149.8V
-2.1V
5.93Ω
217.3mA
DMZ42C10S具体更低的导通电阻和更大的电流能力,BSS169的实际耐压高于DMZ42C10S(注:ARK(方舟微)已经开发出了实际击穿电压与BSS169相近的升级款产品,后续即将推出)
3、耗尽型MOSFET产品在应用中对标的主要特点说明
耗尽型MOSFET在绝大多数应用中,都是工作在亚阈值状态下(即栅-源电压VGS满足:VGS(OFF)<VGS0V),此时耗尽型MOSFET的参数具有如下特点:
a. 导通电阻RDS(ON):亚阈状态下导通电阻是变化的,且会明显超过VGS=0V时的电阻值(规格书中给出的电阻参数);但是当MOSFET工作在直通状态时,导通电阻越小,则会带来更低的电压降,且相应具有更大的电流能力。
b. 阈值电压VGS(OFF):只需要满足电路驱动电源要求以及电路参数要求即可,如搭配运放使用时,只要符合运放的驱动输出范围即可;如搭配电阻实现限流的应用,通过调节限流电阻的阻值,也可以使用不同阻值的电阻达到相近的限流需求。因此,不一定需要完全一样的阈值电压参数才能实现对标替代;
c. 电流参数:一般主要关注耗尽型MOSFET在一定栅极偏压下的饱和电流大小(相对综合的参数)是否能满足电流的电流需求,饱和电流越大,则越能适配大电流下的应用。
因此,对于耗尽型MOSFET的替代选型,通常“参数是否一模一样”并不是对标选型的固定标准。
4、DMZ42C10S的典型应用方案介绍
a. DAC芯片/传感器调理芯片供电并提供过压保护
DMZ42C10S适合用于传感器、智能变送器中,给DAC芯片、传感器调理芯片供电,并为负载电路提供浪涌防护,典型应用电路如下:
file:///C:/Users/admin/AppData/Local/Temp/ksohtml7808/wps32.png
3. DMZ42C10S给AD421供电及提供过压保护的典型电路方案
b. 恒流/限流应用
DMZ42C10S适合用于构建简易恒流源,以及用于构建限流单元实现过流保护,典型应用方案如下:
file:///C:/Users/admin/AppData/Local/Temp/ksohtml7808/wps33.png
3.DMZ42C10S用于构建恒流及限流保护单元的典型方案
【国产替代】ARK(方舟微)DMZ42C10S完美替代英飞凌BSS169.pdf (463.31 KB, 下载次数: 1 )

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