BLDC 驱动器A5932KLPTR/IGBT单管IKW75N65EH5/开关IC LNK6404D/IPW60R120P7场效应管

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A5932KLPTR：三相正弦信号无传感器风扇控制器
规格
电机类型 - 步进： 多相
电机类型 - AC，DC： 无刷 DC（BLDC）
功能： 风扇控制
输出配置： 半桥（3）
技术： 功率 MOSFET
应用： 风扇控制器
电压 - 供电： 5V ~ 50V
工作温度： -40°C ~ 125°C
安装类型： 表面贴装型
封装/外壳： 24-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）祼焊盘
供应商器件封装： 24-TSSOP-EP
A5932KLPTR三相电机控制器采用正弦波驱动，可最大限度地降低大功率风扇的噪音和振动。启动时，正弦电压曲线会施加到电机绕组上，使电机安静启动并逐渐升速至所需转速。通过向速度 (SPD) 输入应用占空比指令来控制电机速度。SPD 输入可在很宽的频率范围内工作。

IKW75N65EH5：一款IGBT 单管 TRENCH 650V 90A TO247-3
IGBT 类型：沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：90 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：300 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，75A
功率 - 最大值：395 W
开关能量：2.3mJ（导通），900µJ（关断）
输入类型：标准
栅极电荷：160 nC
25°C 时 Td（开/关）值：28ns/174ns
测试条件：400V，75A，8 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：92 ns
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
器件封装：PG-TO247-3
IKW75N65EH5 高速 650 V、硬开关 IGBT TRENCHSTOP™ 5 与 RAPID 1 快速软反并联二极管共同封装在 TO-247 封装中，被定义为 “同类最佳 ”IGBT。

LNK6404D：用于适配器和充电器的高能效、精确的初级侧调节 CV/CC 开关
输出隔离：隔离
内部开关：是
电压 - 击穿：725V
拓扑：反激
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：-
占空比：55%
频率 - 开关：最高 85kHz
功率 (W)：4.1 W
故障保护：限流，开环，超温，短路
控制特性：-
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽），7 引线
供应商器件封装：SO-8C
安装类型：表面贴装型
基本产品编号：LNK6404
LNK6404D是高效能、精确的原边调节恒压/恒流（CV/CC）开关器，适用于适配器和充电器。LinkSwitch™-3 系列集成电路省去了光耦合器和次级控制电路，大大简化了低功耗 CV/ CC 充电器的设计。该器件引入了一种革命性的控制技术，可提供非常精确的输出电压和电流调节，补偿变压器和内部参数公差以及输入电压变化。

IPW60R120P7：场效应管 MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：26A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：120 毫欧 @ 8.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 410µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：36 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1544 pF @ 400 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：95W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
等级：-
资质：-
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO247-3
封装/外壳：TO-247-3
基本产品编号：IPW60R120
IPW60R120P7 是 600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET。600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。
全新原装BLDC 驱动器A5932KLPTR/IGBT单管IKW75N65EH5/开关IC LNK6404D/IPW60R120P7场效应管，如有兴趣，欢迎联系明佳达电子陈先生qq 1668527835 咨询。