Everspin MRAM高耐用性工业存储芯片解决方案

ramsun

英尚提供的EverspinxSPI串行接口STT-MRAM是通过8个时钟频率为200MHz的I/O信号提供每秒400兆字节的完全读写带宽。提供了性能、耐用性和保持力的最高组合，现在提供4到64兆位的密度，并为4到16兆位产品提供了新的更小的封装。新的5mmx 6mm DFN封装比现有产品节省37%的面积。除了新的容量和更小的封装，可以取代替代解决方案，如SRAM、BBSRAM、FRAM、NVSRAM和NOR闪存器件。它非常适合数据持久性和完整性、低功耗、低延迟和安全性至关重要的电子系统，例如工业物联网、网络/企业基础设施、过程自动化和控制、航空/航空电子、医疗、游戏和FPGA配置。产品相关信息及样品支持联系英尚微电子。

在快速增长的工业物联网和嵌入式系统市场中，客户比以往任何时候都更需要在任何情况下保护关键系统数据，尤其是在断电的情况下，而不用担心磨损或数据完整性问题。现在不仅具有类似SRAM的低延迟性能和无需电源即可保持内存的能力，还具有扩展的温度范围以满足不同的环境需求。通过添加4Mb容量选项，MRAM设备提供了更多选项来选择最佳密度解决方案。它们继续提供极高的耐用性，保持与其他存储器类型的兼容性，并且易于集成到客户的设计中。