【供应】NVTFS002N04CLTAG、NVTFS5124PLWFTAG、NVTFS5116PLWFTWG车规级MOSFET

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器件规格


1、NVTFS002N04CLTAG 单 N 沟道，40 V，2.2 Ω，142 A，功率 MOSFET
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：28A（Ta），142A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.2 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：49 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2940 pF @ 25 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3.2W（Ta），85W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等级：汽车级
资质：AEC-Q101
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳：8-PowerWDFN



2、NVTFS5124PLWFTAG 单 P 沟道功率 MOSFET -60V，-8A，260mΩ
FET 类型：P 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：260 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：250 pF @ 25 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3W（Ta），18W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等级：汽车级
资质：AEC-Q101
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳：8-PowerWDFN



3、NVTFS5116PLWFTWG 单 P 沟道，功率 MOSFET，-60V，-14A，52mΩ
FET 类型：P 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：52 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：25 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1258 pF @ 25 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3.2W（Ta），21W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等级：汽车级
资质：AEC-Q101
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳：8-PowerWDFN

这些功率MOSFET具有低RDS(on) 值和低电容，可最大限度地降低导通和驱动器损耗。采用3.3mm × 3.3mm的扁平引线封装且具有较高的热性能。MOSFET符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能。典型应用包括电池保护、电机控制、电源开关、开关电源、负载开关和电磁阀驱动器。
【回收】【供应】NVTFS002N04CLTAG、NVTFS5124PLWFTAG、NVTFS5116PLWFTWG车规级MOSFET，如有需要，请联系明佳达电子陈先生qq 1668527835 详谈。