在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 1019|回复: 0

[原创] 汽车电子MRAM非易失性解决方案

[复制链接]
发表于 2023-10-11 17:13:57 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
    随着汽车的电子化,对满足汽车恶劣驾驶环境、快速耐用的非易失性解决方案的需求正在逐渐增加。MRAM具有近乎无限的耐久性及高可靠性,是能够满足电子应用程序中这种市场需求的非易失性存储器,最为理想。

    MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有SRAM的高速读取写入能力,以及DRAM的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。MRAM是汽车应用的理想选择存储芯片,MRAM具有快速且不易失的特点。实时监控的传感器数据可以实时写入,而不需要负载均衡或ECC开销。

    例如S3R4016V1M 4Mbit的STT-MRAM存储芯片,MR2A16A提供与SRAM兼容的70ns读/写时序,具有无限的续航能力。数据在超过10年的时间内始终是非易失性的。通过低电压抑制电路在断电时自动保护数据,以防止电压超出规格时写入。

    NETSOL STT-MRAM产品非常适合需要快速频繁地存储和检索数据和程序的应用程序,因为STT-MRAM具有非易失性、几乎无限的耐久性和快速写入特性。可以取代低功耗SRAM、FeRAM或nvSRAM,具有相同的功能和非易失性。代理英尚微电子支持提供样品测试及产品应用解决方案。


您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2025-2-22 00:43 , Processed in 0.012557 second(s), 6 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表