MOS管导通后，随着VDS的增加，沟道为什么会夹断？

模拟之路

对于导通的NMOS管，随着VDS的增加，沟道发生夹断，这个夹断的原因可以怎么解释？可以这样解释吗：随着VDS的增加，使得漏极的电压增大，漏极与衬底之间的PN结反偏，导致靠近漏极处的耗尽区变大，把沟道挤压上去，从而发生夹断

billgolden

是Vgd的电压变小了，小到不足以产生沟道。