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EETOP诚邀模拟IC相关培训讲师 创芯人才网--重磅上线啦!
查看: 1785|回复: 4

[求助] MOS管结构里,为什么DS要重掺杂?

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发表于 2022-1-14 09:26:15 | 显示全部楼层 |阅读模式

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我看拉扎维的视频里,他说的是,重掺杂的目的是为了跟硅良好接触以及避免二极管和整流结,这个二极管是BS BD吗?然后良好接触的原因是什么
发表于 2022-1-14 17:44:18 | 显示全部楼层
半导体物理看看就明白了
 楼主| 发表于 2022-1-14 17:53:44 | 显示全部楼层


maomao198477 发表于 2022-1-14 17:44
半导体物理看看就明白了


麻烦说一下具体位置,因为想要单独弄懂,看整本书的效率太低。
发表于 2022-1-14 17:57:26 | 显示全部楼层


lx331lx 发表于 2022-1-14 17:53
麻烦说一下具体位置,因为想要单独弄懂,看整本书的效率太低。


看金属与半导体接触的部分
 楼主| 发表于 2022-1-14 17:59:39 | 显示全部楼层


jmf 发表于 2022-1-14 17:57
看金属与半导体接触的部分


好的,谢谢你
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