阈值电压和沟道长度的关系

yiteilxb

仿真发现阈值电压随沟道长度的增加而变小，这个是什么效应或者是什么原因导致的吗？

597650976

Vth 还会随W变大而变大呢
check this site：https://www.edaboard.com/threads ... with-length.130458/

quote：“
In the traditional derivation of the VTO, for instance, it is assumed that the channel depletion region is solely due to the applied gate voltage and that all depletion charge beneath the gate originates from the MOS field effects. This ignores the depletion regions of the source and reverse-biased drain junction, which become relatively more important with shrinking channel lengths. Since a part of the region below the gate is already depleted (by the source and drain fields), a smaller threshold voltage suffices to cause strong inversion. In other words, VT0 decreases with L for short-channel devices.
“

@ywkai 开老师快来学

yiteilxb

597650976 发表于 2021-12-20 11:27
Vth 还会随W变大而变大呢
check this site：https://www.edaboard.com/threads/why-does-vth-vary- ...

感谢你的回答，你这里讲的是段够到的情况下Vth随L的变小而变小，我发现的是在长沟道的情况下，Vth随L的变大而变小。着优势什么原因呢？谢谢

597650976

yiteilxb 发表于 2021-12-20 16:32
感谢你的回答，你这里讲的是段够到的情况下Vth随L的变小而变小，我发现的是在长沟道的情况下，Vth随L的变 ...

仿一下你就会发现，L大的时候对Vth的调制明显减小，在L小的时候，即短沟道时，Vth调制更加明显。印象中Vth和1/L近似线性
具体想要深究可以参考下

1. MOSFET modeling with spice. Upper Saddle River. NJ:Prentice-Hall,1997
   

复制代码

中LEVEL 2模型

597650976

yiteilxb 发表于 2021-12-20 16:32
感谢你的回答，你这里讲的是段够到的情况下Vth随L的变小而变小，我发现的是在长沟道的情况下，Vth随L的变 ...

上次好像没说到点上，L随Vth变大而变大时短沟道效应

武维扬

我也遇到这个问题了，请教楼主，得到答案了吗？