sentaurus在仿真SiC SBD终端结构问题

[复制链接]

晓春记忆

发表于 2021-1-14 17:05:46 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

sentaurus在仿真SiC SBD时，肖特基接触势垒高度设置问题，元胞结构仿真正常，但仿真终端结构FLR和JTE时，势垒高度设置较低（1.2eV、1.7eV）时，仿真出现不收敛的情况，当势垒高度设置较高（2.4eV、2.7eV）时，仿真正常，百思不得其解为什么会出现这种情况，望各位大神不吝赐教！！

返回列表

高级模式

B Color Image Link Quote Code Smilies

您需要登录后才可以回帖登录 | 注册

本版积分规则回帖后跳转到最后一页

GMT+8, 2024-11-24 12:18 , Processed in 0.013402 second(s), 6 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号

创芯大讲堂

创芯人才网

sentaurus在仿真SiC SBD终端结构问题

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

站长推荐 /2