碳化硅(SiC)肖特基二极管的发展及优势

雨后彩虹呀

碳化硅(SiC)肖特基二极管的发展及优势

受电动汽车、网络技术、光伏逆变器等需求市场的不断驱动，电子电力元件在近几年的发展中表现出顽强的生命力，同时随着全球变暖的问题愈加严重，降低能耗的低碳技术成为发展的首要考虑因素。

因此在这种时代大背景之下，安森美半导体半导体凭借独特的特征优势，推出了热门新品碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管——NDSH25170A——1700V SiC二极管，具有无反向恢复电流、不受温度影响的开关特性，是拥有出色的热性能的新一代功率半导体产品，它的最高结温可达175 ºC，额定雪崩能量400 mJ，拥有高浪涌电流，同时还符合AEC-Q101和PPAP标准，无论是在功能方面还是安全性能方面都很出色。

目前，以碳化硅为代表的第三代半导体逐渐走在技术发展舞台的最前面，碳化硅器件可实现在更高温度、电压及频率环境正常工作，消耗电力更少、持久性和可靠性更高。目前，安森美半导体等厂商正致力于研发更优质的产品，实现更小体积、更快速度、更低成本、更高效率。