LDO中老化仿真问题

二毛打球 · 发表于 2019-11-21 22:09:39

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问题：LDO老化仿真，以pmos作为输入对管，折叠式共源共栅结构，
n端输入管PMOS管在老化过程中阈值电压VTH增加，导致p端比n端高几十mv，使得输出的vout比没有老化的时候降了几十mv？
请问，这种情况下如何修改电路？

besarkecil · 发表于 2019-11-24 18:12:00

thanks

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