SN75LBC180ADR TSB43AB23PDT VND7030AJTR电子器件

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1、SN75LBC180ADR 产品摘要
该SN65LBC180A和SN75LBC180A差分驱动器和接收器对是单片设计为双向数据集成电路在长电缆的走在通信的传输线路特性。他们是均衡，或差分电压模式下的设备这是与ANSI标准兼容TIA / EIA- 485 -A和ISO 8482 ： 1987（E ） 。在A版本提供了改进的开关性能。这些器件结合了差分线路驱动器和差分输入线路接收器，并从单一的5 V电源供电电源。驱动器差分输出和接收器的差分输入分别连接到分离对于全双工操作的终端以及被设计成向最小负载到总线时断电(VCC= 0）。这些部分设有宽正负共模电压范围，这使得它们适合对于点对点或多点数据总线应用。该器件还提供正，负电流限制了保护从线故障情况。该SN65LBC180A的特点是操作从-40°C至85℃ ，并在SN75LBC180A的特点是操作从0℃至70℃。
2、特点
高速低功耗LinBICMOS电路设计用于信号传输速率†of高达30Mbps的
总线引脚ESD保护超过12 kV的HBM
非常低的残疾人电源电流要求700µA最大
专为高速多点数据传输电缆长
共模电压范围-7 V至12 V
低电源电流15毫安最大
兼容ANSI标准TIA / EIA- 485 -A和ISO 8482 ： 1987（E ）
正，负输出电流限制
司机热关断保护


TSB43AB23PDT 物理层/链路层控制器
1、说明
该TSB43AB23设计提供PCI总线主破裂，并且它是能够传送的数据的超高速缓存行以132M连接到存储器控制器之后的字节/秒。由于PCI延迟可能会很大，提供了深厚的FIFO缓冲1394的数据。该TSB43AB23设备提供物理写入张贴缓冲液和SBP-2用一个高度调整的物理数据路径性能。该TSB43AB23器件还提供了多种同步上下文，多个高速缓存行爆传输和先进的内部仲裁。先进的CMOS工艺实现了低功耗，并且允许TSB43AB23装置在PCI到操作时钟速率高达33 MHz的。该TSB43AB23 PHY层提供了实现一个三端口所需的数字和模拟收发器功能节点中的一个基于电缆的1394网络。每根电缆的端口包括两个差分线路收发器。该收发器包括电路按需要确定连接状态监视线的条件下，进行初始化，并仲裁和数据包的接收和发送。
2、规格参数
产品种类：1394 接口集成电路
类型：OHCI PHY/Link Layer Controller
封装 / 箱体：TQFP-128
封装：Tray
商标：Texas Instruments
安装风格：SMD/SMT
工作温度范围：0 C to + 70 C
产品：1394
系列：TSB43AB23
工厂包装数量：90
单位重量：503.500 mg


VND7030AJTR 电子器件
1、描述
该VND7N04 ， VND7N04-1和VNK7N04FM是使用由单片器件STMicroeletronics的VIPower M0技术，用于替换标准的电源MOSFET，在直流电到50KHz的应用程序。内建的热关断，线性电流限制和过压钳位保护在恶劣的芯片enviroments 。
2、产品亮点
线性电流限制
热关机
短路保护
综合CLAMP
低电流消耗在输入PIN
通过输入引脚诊断反馈
ESD保护
直接进入电源的门MOSFET （模拟驾驶）
兼容标准功率MOSFET


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