出半导体产品STP21N65M5和RTD1195PN

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半导体产品STP21N65M5

规格：

FET 类型	N 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	17A（Tc）
驱动电压	10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On	190 毫欧 8.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）	5V 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）	50nC 10V
Vgs	±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	1950pF 100V
FET 功能	-
功率耗散	125W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220AB
封装/外壳	TO-220-3

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深圳市明佳达电子有限公司发布。