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分立半导体产品  2N7002BKW   N沟道 60V 场效应管 规格
FET　　类型        N　　沟道
技术        MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）        60V
电流　　-　　连续漏极（Id）（25°C　　时）        310mA（Ta）
驱动电压  10V
不同　　Id，Vgs　　时的　　Rds　　On  1.6　　欧姆　　@　　500mA，10V
不同　　Id　　时的　　Vgs（th）  2.1V　　@　　250μA
不同　　Vgs　　时的栅极电荷　　（Qg） 6nC　　@　　4.5V
电压  ±20V
不同　　Vds　　时的输入电容（Ciss）  50pF　　@　　10V
FET　　功能        -
功率耗散  275mW（Ta）
工作温度        150°C（TJ）
安装类型        表面贴装
供应商器件封装        SC-70
封装/外壳        SC-70，SOT-323

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