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EETOP诚邀模拟IC相关培训讲师 创芯人才网--重磅上线啦!
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[求助]有关三极管的若干问题

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发表于 2006-1-23 02:57:10 | 显示全部楼层 |阅读模式

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三极管的放大机制是什么?我找了多本书,说的都不好理解,Ic=hfe*Ib我知道,可为什么?发射结正偏似乎只能将少量载流子引入基区,这少量载流子还要被复合。问题是发射结为什么能将大量载流子引入基区?公式如何得到,能不能讲的通俗些,量子力学我不懂
还有单三极管的四种负反馈电路一般的书只有两种,其他似乎在老书上见过,但找不到了。希望有人能提供,本人非常感谢。
发表于 2006-1-24 11:56:44 | 显示全部楼层

[求助]有关三极管的若干问题

建议你看下《电子线路》__线性部分(第四版),谢嘉奎编的
发表于 2009-11-5 08:50:01 | 显示全部楼层
因为工作在放大区时,是发射结正偏,集电结反偏。发射区的掺杂浓度很高,就保证了发射结正偏时,绝大多数多子扩散到了基区,基区的掺杂浓度很低而且很薄,所以在基区的复合很少。集电结是反偏的,就使得基区的少子也就是电子绝大多数漂移到了集电区,这样就实现了电流的放大
发表于 2009-11-5 09:14:46 | 显示全部楼层
电子科技大学出版的《模拟电路基础》对三极管的原理讲得比较清楚。
在三极管的放大特性原理中,要注意反偏在电场的作用,建议可以先去了解一下雪崩击穿原理,联合起来考虑对于理解电流放大作用可能会有所帮助
发表于 2009-11-12 16:08:06 | 显示全部楼层
The art of Electronics _ 2nd ,

Recommand to read it!
发表于 2009-11-12 22:43:52 | 显示全部楼层
“发射结正偏似乎只能将少量载流子引入基区,...”
发射结正偏能将大量载流子引入base,关键是复合的只占很少一部分,复合掉这部分就基本等于IB,剩余未符合的载流子被CB电场扫入集电极形成IC,所以 IC=Beta*Ib,这就是放大的机制.
建议楼主看看半导体器件知识。
发表于 2009-11-13 17:28:05 | 显示全部楼层
实际上,搞工程只要知道外部特性就可以了
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