eMMC芯片内部LDO的稳定性分析

yigou22 · 发表于 2017-7-1 14:26:56

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eMMC芯片广泛用于手机、通信设备的数据存储，程序存储芯片的3.3V主要向内部的NAND FLASH 供电，内部集成LDO，外部VDDI 设计0.1uF~4.7uF电容。LDO通常将3.3V变压到1.0V~1.2V之间，为内部的emmc控制器供电。在访问芯片时候，LDO的电压有所变化，各个厂家的做法不同。在访问三星的emmc时候，LDO的电压变化为方波。工程试验低温下，该LDO不稳定，变成锯齿波形，是的EMMC工作异常，系统异常。
测试试验低温为-20℃~-60℃。分析通过在LDO的pin（VDDI）增加电容，可以提高LDO的稳定性，解决低温电压异常的问题。
有分析发现类同问题，或者收益的朋友，请点赞

張境 · 发表于 2017-7-22 16:19:27

多謝大大分享~

張境 · 发表于 2017-7-22 21:07:33

感恩~~

kkfish · 发表于 2017-12-5 23:40:29

谢谢分享！

christ0426 · 发表于 2017-12-28 18:56:21

感谢分享，最近刚好在做这方面的东西

[原创] eMMC芯片内部LDO的稳定性分析

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