在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
EETOP诚邀模拟IC相关培训讲师 创芯人才网--重磅上线啦!
查看: 3615|回复: 2

[原创] Oscillator学习笔记(1)

[复制链接]
发表于 2017-5-12 17:47:08 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x

Oscillator学习笔记(1

1.性能参数

+频率范围

关于振荡器工作的频率范围由两个部分组成。第一,通信系统要求工作的频段,如一个900-MHzGSM 直接转换接收机,他可能就要935MHz960MHz的本地频率范围。另外就是由于工艺、温度的影响和模型的不准确,要求有一定的余量。

+输出电压摆幅

当然,为了驱动另外一个电路,一般要求输出电压摆幅越大越好。

+驱动能力

对于数字电路来说,中心时钟的负载一般都会比较大,所以驱动能力对于一个时钟来说是一个相对较重要的参数。如对于一个接机的接收信号的路径,振荡器不仅要驱动一个下转化的混频单元,还要驱动一个分频单元。

+相位噪声

设计振荡器需要在相位噪声与频率范围和功耗之间进行折中处理。

+输出波形

大部分情况下,理想的输出波形是方波。

+电源电压敏感性

电源电压的变化会直接导致工作频率的偏移。

+功耗

在低功耗的趋势下,功耗问题也越来越被看中。


2.基本模型

-反馈模型


                               
登录/注册后可看大图


“Barkhausen's critera”


                               
登录/注册后可看大图

以上是基本的起振条件,其实可以将外部输入直接去掉,电路只要满足环路中任何一个位置出现一个小信号噪声,然后经过环路的放大产生了一个更大的同向信号就满足起振条件。


-单端口模型


                               
登录/注册后可看大图


这里是直接从电路的阻抗特性入手分析,左边是一个有损网络,左边是一个损耗补偿的有源单元,由于两端的电压相当,所以消耗的能量与电阻值成反比,若要使得一个内部的一个信号不被损耗,右边的能量补偿必须要超过左边的能量消耗,所以abs(-Rp')<Rp




3.交叉耦合振荡器


                               
登录/注册后可看大图

这个振荡器结构


                               
登录/注册后可看大图

其中的4CGD,是由于Vx增加时,Vy减少,到达波峰时,CGD其实已经储存了2VaC的电荷量,C1的系数为1也是如此。


4.压控振荡器


                               
登录/注册后可看大图


现在从交叉耦合振荡器来构建压控振荡器,由以上的wosc的表达式可以看出,可以改变的有两个量,LC,一般来说改变C较为容易。

可直接采用MOS电容器,如下图


                               
登录/注册后可看大图

这个振荡器的频率可以表达如下


                               
登录/注册后可看大图

这个电路有两个缺点,MOS电容器必须要能承受当Vcont=0V时,Vx>VDD的压降;Cmax-Cmin的变化值只有一半被利用。

而频率变化的范围是


                               
登录/注册后可看大图


我们还要考虑到,变容MOS管减小了震荡单元的Q值。


                               
登录/注册后可看大图

如上图的有损耗电感和电容并联一起,整个二端口网络的Q值可以这样计算,


                               
登录/注册后可看大图



                               
登录/注册后可看大图

对于以上的可变电容的利用率上,我们可以采用如下电路结构得以解决。


                               
登录/注册后可看大图

调节合适的器件尺寸可以使得x,y的共模电平保持在1/2VDD,这样使得电路可调节的电容范围变宽。但是,这个电路的相位噪声更高。解释如下,当IDD改变dI时,x,y点的共模电平会改变dVcm=dI/2*(1/gm),而前一个电路只会改变dI/2*rs,而共模电平与Vcont一样,同样影响节点的电容大小,使得频率发生偏移。


                               
登录/注册后可看大图

所以为了使得共模电平的变化不影响到MOS电容器的电容值,采用如下结构。


                               
登录/注册后可看大图

而这个电路又减小了频率变化的范围


                               
登录/注册后可看大图

关于1/2VDD的共模电平的设置,可以采用如下结构,


                               
登录/注册后可看大图

这个电路能使得输出摆幅比原先翻倍,缺点有两个,首先,为了正常工作,PMOS必须足够宽,而这会增大节点电容,限制频率范围。其次,输出频率对噪声更加敏感。

发表于 2022-11-29 07:32:41 | 显示全部楼层
nice ,thanks
发表于 2022-11-29 07:33:44 | 显示全部楼层
very good
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-5 13:07 , Processed in 0.047072 second(s), 6 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表