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UCC27714 是一款 600V 高侧/低侧栅极驱动器,具有 4A 拉/灌电流能力,专用于驱动功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 或绝缘栅双极晶体管 (IGBT)。 该器件包含一个接地基准通道 (LO) 和一个悬空通道 (HO),后者专用于自举电源操作。 该器件具有出色的稳定性和抗扰度,能够在 HS 引脚上的负电压高达 –8VDC 的条件下(VDD = 12V 时)维持逻辑正常运行。
UCC27714 UCC27201A-Q1 高频 N 沟道 MOSFET 驱动器由 120V 自举二极管和高侧/低侧驱动器组成,其中高侧/低侧驱动器配有独立输入,可最大限度提高控制灵活性。 这可在半桥式、全桥式、两开关正激式和有源箝位正激式转换器中提供N沟道 MOSFET 控制。 低端和高端栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了至 1ns 的匹配。
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