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[求助] 反相器提高VDD后,晶体管的平均电流会增大吗?

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发表于 2016-1-26 23:35:59 | 显示全部楼层 |阅读模式
20资产
假设一串相连的反相器,这个时候如果我提高电源电压。问题1:对反相器的逻辑:来讲,是不是它的逻辑1会提升(毕竟对节点电容充电电压也提高了),而逻辑0不变?
问题2:PMOS和NMOS管在充电和放电的平均电流会提高吗?虽然电源电压提升了,但充电的节点电压不也是提升了吗?这样充电时间是变快了还是变慢了?简单的问题,求助各位大神!

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